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1 - 10 の結果 high frequency transistor から 98580 製品
工業用シリコンカービッドMOSFET 多目的高周波トランジスタ
工業用シリコンカービッドMOSFET 多目的高周波トランジスタ 製品説明: についてシリコンカービッドモスフェットスイッチの速さも速いので,すぐにオン・オフできるので,パワーインバーター,電気自動車,グリッドインフラストラクチャ,産業用ドライブ,消費電子機器などに最適です電気通信機器低電源抵抗に...
Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
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違う 違う7シンロン道路,シジ町,ドングアン市,広東省,中国
産業用シリコンベースの半導体 多用途高周波トランジスタ
高周波・高周波・高電圧トランジスタ 製品説明: ハイパワー半導体 (High Power Semiconductor) は,高電力デバイスアプリケーション用に設計されたパワー半導体部品である.このデバイスは,Low Rds ((ON) など優れた電気性能を提供します.逆回帰電流が非常に低い安定し...
Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.
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405,4F,B2Bldg,天安サイバーパーク,1号黄津道路,南城区,東?? 市,広東省
TIP112電界効果トランジスタ、高周波トランジスター
TO-220-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターTIP112ダーリントン トランジスター（NPN）を 特徴 高いDCの現在の利益:hFE=1000 @ VCE=4V、IC=1A （最少） 低いコレクター エミッターの飽和電圧 産業使用 最高の...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
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部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
BAV19W~BAV21Wの電界効果トランジスタ、高周波トランジスター
BAV19W~BAV21W SWITCHINGDIODESOD-123の芝地123Plastic EncapsulateDiodes 特徴 低い逆の流れ 理想的に自動挿入に適する表面の台紙のパッケージ 速い切り替え速度 一般目的の切換えの適用のため 印が付いている...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
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部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
TIP112電界効果トランジスタ、高周波トランジスター
TO-220-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターTIP112ダーリントン トランジスター（NPN）を 特徴 高いDCの現在の利益:hFE=1000 @ VCE=4V、IC=1A （最少） 低いコレクター エミッターの飽和電圧 産業使用 最高の...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
BAV19W~BAV21Wの電界効果トランジスタ、高周波トランジスター
BAV19W~BAV21W SWITCHINGDIODESOD-123の芝地123Plastic EncapsulateDiodes 特徴 低い逆の流れ 理想的に自動挿入に適する表面の台紙のパッケージ 速い切り替え速度 一般目的の切換えの適用のため 印が付いている...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
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