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1 - 10 の結果 high frequency transistor から 100000 製品
TIP112電界効果トランジスタ、高周波トランジスター
TO-220-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターTIP112ダーリントン トランジスター（NPN）を 特徴 高いDCの現在の利益:hFE=1000 @ VCE=4V、IC=1A （最少） 低いコレクター エミッターの飽和電圧 産業使用 最高の...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
確認済みサプライヤー
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
Mos可聴周波Mosfetのトランジスター/高周波トランジスター アンプ
Mos可聴周波Mosfetのトランジスター/高周波トランジスター アンプ 可聴周波Mosfetのトランジスター塗布DCの運動制御自動車適用無停電電源装置絶対最高評価（Tc=25°C） 記号変数評価単位VDSS下水管源の電圧60VVGS電圧連続的なゲート源±30VID現在連続的流出させて下さい（ノート...
Shenzhen Canyi Technology Co., Ltd.
部屋4005の床第40のSaigeスクエア、Huaqiangの北の道NO.1002、福田区、シンセン、広東省、中国
TIP112電界効果トランジスタ、高周波トランジスター
TO-220-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターTIP112ダーリントン トランジスター（NPN）を 特徴 高いDCの現在の利益:hFE=1000 @ VCE=4V、IC=1A （最少） 低いコレクター エミッターの飽和電圧 産業使用 最高の...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
BAV19W~BAV21Wの電界効果トランジスタ、高周波トランジスター
BAV19W~BAV21W SWITCHINGDIODESOD-123の芝地123Plastic EncapsulateDiodes 特徴 低い逆の流れ 理想的に自動挿入に適する表面の台紙のパッケージ 速い切り替え速度 一般目的の切換えの適用のため 印が付いている...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
を提出してください “high frequency transistor”
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