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1 - 10 の結果 h bridge mosfet driver から 3595 製品
集積回路の破片A4989SLDTR-T二重完全な橋MOSFETの運転者IC TSSOP38
集積回路の破片A4989SLDTR-T二重完全な橋MOSFETの運転者IC TSSOP38 A4989SLDTR-Tの製品の説明 A4989SLDTR-Tは高い発電の産業両極2フェーズ ステッピング モーター（500 W）の広い範囲をへの普通30運転するために適した統合されたm...
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
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1239新しいアジアGuoliの建物のZhenzhongの道。、Futian地区シンセン中国
Allegro A3941klptr-T自動車完全な橋MOSFETの運転者HTSSOP28のゲート力の運転者
allegro a3941klptr-t HTSSOP28の電子部品集積回路 MCUのマイクロ制御回路集積回路A3941KLPTR-T 指定 項目 価値 D/C 新しい...
Shenzhen Kaigeng Technology Co., Ltd.
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部屋502-Cの床5の東の建物4のSeg科学公園、第120のZhenxingの道、Licunのコミュニティ、Huaqiangの北の通り、福田区、シンセン都市、広東省、中国
集積回路チップ UCC27200QDDARQ1 ハーフブリッジ ゲート ドライバ IC 非反転
集積回路チップ UCC27200QDDARQ1 ハーフブリッジ ゲート ドライバ IC 非反転 UCC27200QDDARQ1の製品説明 UCC27200QDDARQ1 は高周波 N チャネル MOSFET ドライバで、120 V ブートストラップ ダイオードと、制御の柔軟性を最...
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
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1239新しいアジアGuoliの建物のZhenzhongの道。、Futian地区シンセン中国
抵抗のIRS2101STRPBFの半導体ICの破片MOSFETの運転者の高い現在の高速低速
IRS 2101 STRPBFの半導体ICの破片 抵抗のMOSFETの運転者の高い現在の高速低速 プロダクト リスト: IRS2101STRPBFの半導体ICの破片 記述: IRS2101S...
Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
IR2110STRPBFの半導体ICの破片の高性能MOSFETsおよびIGBTsのための半分橋ゲートの運転者IC
製品名:IR2110STRPBF高速MOSFETの運転者IC 製品の説明:IR2110STRPBFはDC-DCのコンバーター、モーター ドライブおよび他のhigh-current転換の適用の使用のために設計されている高速MOSFETの運転者ICである。この装置は10ボルトから500ボ...
Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
BLDCモーター運転者、30A Hのブリッジ・サーキットMosfetのための高い流れMosfetの運転者
JY12M BLDCモータードライバのためのNとPチャネル30VMOSFET 一般的な説明 JY12Mは,NとPチャネル論理強化モードの電源フィールドトランジスタです高密度細胞のDMOS溝技術を用いて作られています状態の抵抗を最小限に抑えるために特別に設計されています.携帯電話やノートP...
Shanghai Juyi Electronic Technology Development Co., Ltd
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第1の車線1199のyunping道、jiading地区、上海、中国
Allegro A3941klptr-T自動車完全な橋MOSFETの運転者HTSSOP28のゲート力の運転者
allegro a3941klptr-t HTSSOP28の電子部品集積回路 MCUのマイクロ制御回路集積回路A3941KLPTR-T 指定 項目 価値 D/C 新しい...
Shenzhen Kaigeng Technology Co., Ltd.
部屋502-Cの床5の東の建物4のSeg科学公園、第120のZhenxingの道、Licunのコミュニティ、Huaqiangの北の通り、福田区、シンセン都市、広東省、中国
IR2110PBF IGBTの運転者ICの破片Mosfet力トランジスター半分橋ゲートの運転者IC 14-DIP
IR2110PBF力MOSFETおよびIGBTの運転者ICは半橋ゲートの運転者IC 14-DIPを欠きます 記述 IR2110/IR2113は独立した高低の側面の参照された出力チャネルが付いている高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者です。専有HVICおよび掛け金免疫CMOS...
シンセンATFUの電子工学の技術株式会社
部屋1120の床11rdのアジア新しいGuoliの建物、福田区、シンセン都市、広東省中国のジッパー:518031
DRV8908QPWPRQ1半分橋表示運転者IC DCモーターMOSFET 24-HTSSOP
DRV8908QPWPRQ1半分橋（8）運転者DCモーター、一般目的MOSFET （金属酸化物） 24-HTSSOP 特徴 •AEC-Q100は自動車適用のために修飾した •4、6、8、10そして12半橋出力 •32-V作動の電圧への4.5-V – 40-V絶対最高の電圧...
ChongMingのグループ（HK）国際的なCo.、株式会社
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
IR2110PBF IGBTの運転者ICの破片Mosfet力トランジスター半分橋ゲートの運転者IC 14-DIP
IR2110PBF力MOSFETおよびIGBTの運転者ICの破片半橋ゲートの運転者IC 14-DIP 記述 IR2110/IR2113は高圧の、高速力MOSFETであり、独立した高低の側面が付いているIGBTの運転者は出力チャネルを参照した。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を...
ChongMingのグループ（HK）国際的なCo.、株式会社
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
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