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1 - 10 の結果 gate bipolar transistor から 26958 製品
IKW40N65H5はゲートの両極トランジスターIGBTトランジスター650V 74A 250Wを絶縁した
IKW40N65H5 IKW25N120T2 IHW20N120R5 IKW50N60H3はゲートの両極トランジスターを絶縁した 適用 •Solarconverters •Uninterruptiblepowersupplies •Weldingconverters •Midtohig...
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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Room L, 23rd Floor, Building B, Duhui 100, Zhonghang Rd, Futian District, Shenzhen City, Guangdong
General Electric DS200IIBDG1AEA DS200IIBDG1AのGEによって絶縁されるゲートの両極トランジスター板
プロダクト:General Electric DS200IIBDG1AEA DS200IIBDG1A GEはゲートの両極トランジスター板を絶縁した GEはゲートのDS200IIBDG1Aが板の処理の状態を提供する9表示器LEDsを含んでいる両極トランジスター（IGBT）板を絶縁した。LEDsはサー...
Joyoung International Trading Co.,Ltd
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IKW40N120T2はコンバーターのためのゲートの両極トランジスターIGBT 40A 1200V 480Wを絶縁した
IKW40N120T2 IKW40N120CS6XKSA1 IKW50N65H5 IKA10N65ET6はゲートの両極トランジスターを絶縁した 適用 頻度コンバーター 途切れない電源 指定 製品特質 属性値 製品カテゴリ: IGBTのトラ...
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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絶縁されたゲートの両極トランジスターFGH40N60SFD
FGH40N60SFD FGH60N60SFDTU FGH40N120ANTU FGH40N65UFDTUはゲートの両極トランジスターを絶縁した 適用 •自動車充電器、コンバーター、高圧補助者 •インバーター、PFC、UPS 指定 製品特質 属性値...
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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STGW80H65DFBはゲートの両極トランジスターIGBTトランジスター650V 80A 469Wを絶縁した
STGW80H65DFBはゲートの両極トランジスター650V 80A 469W IGBTトランジスターを絶縁した 適用 •光起電インバーター •高周波コンバーター 指定 製品特質 属性値 製造業者: STMicroelectronics...
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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KUP40H12R4-7M 電源管理用の隔離ゲート双極トランジスタモジュール組成
KUP40H12R4-7M 隔離ゲート双極トランジスタ組 電力管理のための究極のソリューション 製品説明: 隔離ゲート双極トランジスタモジュール (IGBTモジュールとして知られる) は,効率的な電源制御とスイッチング機能を提供する電子回路の重要な部品です.この汎用モジュールは,様々なアプリケー...
Krunter Future Tech (Dongguan) Co., Ltd.
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RM 708,ビルA,5号ケジ2号道路,ソングシャン湖,東??,中国人民共和国
GT20J101サイリスタのモジュールによって絶縁されるゲートの両極トランジスター ケイ素Nチャネル
GT20J101東芝はゲートの両極トランジスター ケイ素NチャネルIGBTを絶縁した 高い発電の転換の適用 •第3生成•強化モード •高速:tf = 0.30のµs （最高） •低い飽和電圧:VCE （坐る） = 2.7ボルト（最高） 特徴 記号 評価 単位 Collector-emitter電圧 VCES 600 V ゲート エミッターの電圧 VGES +-20 V コレクター流れDC IC 20 コレクター流れ1氏 ICP 40 コレクターの電力損失（Tc = 25°C） PC 130 W 接合部温度 Tj 150 °C 保管温度の範囲 Tstg −55~150 °C デリカテッセンの電子工学のtehcnologyのco株式会社 www.zd_zd_icmemorychip.com 電子メール:sales3@deli-ic.com Skype:hkdeli881 TEL:86-755......
デリカテッセンの電子工学の技術CO.、株式会社
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No.1 SHENHUAの通りSHENFENGの道LIUYUE LONGGANG区域シンセン、中国を造るRM 311 3/F LINZHAN幸運
超高速IGBTのトランジスターNチャネル、ダイオードで造られるを用いる絶縁されたゲートの両極トランジスター
G40N60UFDダイオード600V 40A 160W、TO-3Pで造られるを用いる超高速IGBTのトランジスターNチャネル 記述: フェアチャイルドのUFDの一連のInsulatedゲートの両極トランジスター(IGBTs)は低い伝導および切換えの損失を提供します。UFDシリーズは運動制御...
シンセンATFUの電子工学の技術株式会社
部屋1120の床11rdのアジア新しいGuoliの建物、福田区、シンセン都市、広東省中国のジッパー:518031
MGW12N120D力MosfetのトランジスターはAnti-Parallelダイオードが付いているゲートの両極トランジスターを絶縁した
Anti-Parallelダイオードが付いている絶縁されたゲートの両極トランジスターN-Channel強化モード ケイ素 ゲート TO-247のIGBT及びダイオード12 A @ 90°C20 A @ 25°C1200ボルト評価される短絡 この絶縁されたゲートの両極トランジスター（IGBT）は柔ら...
ChongMingのグループ（HK）国際的なCo.、株式会社
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
GP4068D力Mosfetのトランジスターによって絶縁されるゲートの両極トランジスター
IRGP4068DPbF IRGP4068D-EPbF 誘導加熱およびソフトスイッチングアプリケーションのための超低VFダイオードを備えた絶縁ゲートバイポーラトランジスタ 特徴 •低V CE（ON）トレンチIGBT技術 •低スイッチング損失 •最大ジャンクション温度175...
Anterwell Technology Ltd.
B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国
を提出してください “gate bipolar transistor”
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