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線形力Mosの電界効果トランジスタの縦の構造3403D-U-V
線形力Mosの電界効果トランジスタの縦の構造3403D-U-V Mosの電界効果トランジスタの記述 Mosの電界効果トランジスタはスイッチとして多くので電源および全権の適用、特に使用されます。変形sは平面のMOSFETs、VMOS、UMOS TrenchMOS、HEXFETsおよび他...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
確認済みサプライヤー
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
なだれ評価されるMosの電界効果トランジスタ インバーター システム力管理
なだれ評価されるMosの電界効果トランジスタ インバーター システム力管理 Mosの電界効果トランジスタの記述 Mosの電界効果トランジスタはタイプのMOSFETです。力MOSFETの運営原則は一般的なMOSFETに類似しています。力のMOSFETSは非常に特別力の高レベルを扱うため...
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信頼でき、険しい電界効果トランジスタ/高周波Mosfet
信頼でき、険しい電界効果トランジスタ/高周波Mosfet 電界効果トランジスタの特徴 40V/250AR DS （） = mの（typ。） @ V GS =10V テストされる100%のなだれ 険しいReliableand鉛FreeandGreenDevicesAvailab...
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州の抵抗の低速の顧客用Mosの電界効果トランジスタ
州の抵抗の低速の顧客用Mosの電界効果トランジスタ Mosの電界効果トランジスタの特徴 -60V/-40AR DS （） = 19mΩ （typ。） @V GS = -10VR DS （） = 25mΩ （typ。） @V GS = -4.5Vテストされる100%のなだれ信頼でき、険...
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線形力Mosの電界効果トランジスタの縦の構造3403D-U-V
線形力Mosの電界効果トランジスタの縦の構造3403D-U-V Mosの電界効果トランジスタの記述 Mosの電界効果トランジスタはスイッチとして多くので電源および全権の適用、特に使用されます。変形sは平面のMOSFETs、VMOS、UMOS TrenchMOS、HEXFETsおよび他...
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なだれ評価されるMosの電界効果トランジスタ インバーター システム力管理
なだれ評価されるMosの電界効果トランジスタ インバーター システム力管理 Mosの電界効果トランジスタの記述 Mosの電界効果トランジスタはタイプのMOSFETです。力MOSFETの運営原則は一般的なMOSFETに類似しています。力のMOSFETSは非常に特別力の高レベルを扱うため...
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信頼でき、険しい電界効果トランジスタ/高周波Mosfet
信頼でき、険しい電界効果トランジスタ/高周波Mosfet 電界効果トランジスタの特徴 40V/250AR DS （） = mの（typ。） @ V GS =10V テストされる100%のなだれ 険しいReliableand鉛FreeandGreenDevicesAvailab...
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州の抵抗の低速の顧客用Mosの電界効果トランジスタ
州の抵抗の低速の顧客用Mosの電界効果トランジスタ Mosの電界効果トランジスタの特徴 -60V/-40AR DS （） = 19mΩ （typ。） @V GS = -10VR DS （） = 25mΩ （typ。） @V GS = -4.5Vテストされる100%のなだれ信頼でき、険...
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Nチャネルの電界効果トランジスタMosfetの分離した半導体IRFS3207ZTRRPBF
MOSFETのトランジスター電界効果トランジスタの分離した半導体IRFS3207ZTRRPBF Nチャネル 製品範囲 MOSFETのトランジスター電界効果トランジスタの分離した半導体IRFS3207ZTRRPBF Nチャネル MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOh...
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
COMM CRT 2-16 FAYUEN RM4,16/F HO王ST MONGKOKKL
150A高い発電のトランジスター、40V NチャネルMosの電界効果トランジスタ
150A高い発電のトランジスター、40V NチャネルMosの電界効果トランジスタ 高い発電のトランジスター塗布 力MOSEFETの技術は多くのタイプの回路に適当です。適用は下記のものを含んでいます: 線形電源 切換えの電源 DC-DCのコンバーター 低電圧の運動制御...
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