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1 - 10 の結果 fast switching transistor から 10446 製品
MMBTA56 NPNダーリントン力トランジスター、速いスイッチング・トランジスタNPN
SOT-23はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターMMBTA56トランジスター（NPN）を 特徴 l一般目的のアンプの塗布印が付いていること:2GM 最高の評価（通知がなければTa=25℃） 記号 変数 価値...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
確認済みサプライヤー
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
高い発電のNpnの顧客用トランジスター、速いスイッチング・トランジスタ12A
AOD442G 60V NチャネルMOSFET 概説 AOD444/AOI444コンバインの高度の堀MOSFET提供するべき低い抵抗のパッケージとの技術極端に低いR DS （）。それらの装置は使用のために適していますPWMでは、負荷切換えおよび一般目的の適用。 変数...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
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部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
IRF9540NPBF PチャネルMosfetのトランジスター、100V 23Aはスイッチング・トランジスタ絶食します
PはIRF9540NPBF TO-220 100V 23Aの高いスイッチング・トランジスタMOSFET力を運びます記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFET sはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET®力のMOSFETsが有名の...
Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
部屋1120の床11rdのアジア新しいGuoliの建物、福田区、シンセン都市、広東省中国のジッパー:518031
IRF9540NPBF PチャネルMosfetのトランジスター、100V 23Aの速いスイッチング・トランジスタ
PチャネルIRF9540NPBF TO-220 100V 23Aの高いスイッチング・トランジスタMOSFET力記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFET sはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。HEXFET®力のMOSFETsが有名である高...
ChongMing Group (HK) Int'l Co., Ltd
ルーム 1204、DingCheng International Building、518028 Futian District、SHENZHEN、CN
Shenzhen Weitaixu Capacitor Co.,Ltd
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Shenzhen Weitaixu Capacitor Co.,Ltd
9Eは、AのHuaqiangの広場、Huaqiangbei、Futian、シンセン、中国を妨げます
高い発電のNpnの顧客用トランジスター、速いスイッチング・トランジスタ12A
AOD442G 60V NチャネルMOSFET 概説 AOD444/AOI444コンバインの高度の堀MOSFET提供するべき低い抵抗のパッケージとの技術極端に低いR DS （）。それらの装置は使用のために適していますPWMでは、負荷切換えおよび一般目的の適用。 変数...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
MMBTA56 NPNダーリントン力トランジスター、速いスイッチング・トランジスタNPN
SOT-23はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターMMBTA56トランジスター（NPN）を 特徴 l一般目的のアンプの塗布印が付いていること:2GM 最高の評価（通知がなければTa=25℃） 記号 変数 価値...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
速い切換えの時間Mosの電界効果トランジスタ、電源スイッチのトランジスター
速い切換えの時間Mosの電界効果トランジスタ、電源スイッチのトランジスター Mosの電界効果トランジスタの記述 Mosの電界効果トランジスタはスイッチとして多くので電源および全権の適用、特に使用されます。変形sは平面のMOSFETs、VMOS、UMOS TrenchMOS、HEXF...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
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