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BF981 Nチャネル20mA 225mWのケイ素の二重ゲートMosfet
二重ゲートNチャネル分野効果の十字の管の無線周波数のaudionのパッケージに50 ケイ素N -チャネルの二重ゲートMos - Fet 20V 20mA 225mW 記述: 源および基質が付いているプラスチックXパッケージの枯渇タイプfieldeffectトランジスターは相互に連...
DELI ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
確認済みサプライヤー
No.1 SHENHUAの通りSHENFENGの道LIUYUE LONGGANG区域シンセン、中国を造るRM 311 3/F LINZHAN幸運
CJ2310 S10のプラスチックは二重ゲートMosfet、高い発電NチャネルMosfetを内部に閉じ込めます
CJ2310 S10 NPN PNPのトランジスターNチャネルMOSFETはMOSFETSをプラスチック内部に閉じ込めます 記述 CJ2310は2.5V優秀なRDS （）、低のゲートの電圧の低いゲート充満および操作を提供するのに高度の堀の技術を使用します。この装置は電池の保護としてまたは他の切換えの適用で使用のために適しています。 特徴の 高い発電および現在の渡す機能の 無鉛プロダクトは得られたです 表面の台紙のパッケージ 適用 電池スイッチ DC/DCのコンバーター 最高の評価（通知がなければTa=25℃） 変数記号の価値単位 下水管源の電圧VDS 60 V ゲート源の電圧VGS ±20 V 連続的な下水管現在のID 3 A 脈打った下水管の流れ（ノート1） I DM 10 A 電力損失PD 0.35 W 接続点からの包囲されたへの熱抵抗（ノート2）のθJA Rの357 ℃/W......
DELI ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
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No.1 SHENHUAの通りSHENFENGの道LIUYUE LONGGANG区域シンセン、中国を造るRM 311 3/F LINZHAN幸運
クラウドSDK イベント管理と会員出席追跡のための統合RFID QR腕帯ターンスタイルゲート CE
クラウドSDK イベント管理と会員出席追跡のための統合RFID QR腕帯ターンスタイルゲート CE 製品概要 デュアルクラウド SDK 統合 RFID QR 腕帯 ターンスタイルゲート CE 認証付きの包括的なイベント管理と会員出席追跡のために設計されています. 仕様 詳細 キャビネッ...
SHENZHEN GOLDANTELL TECHNOLOGY CO.,LIMITED
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第7床、Huangjia Meilong GongguanのMinzhiの道、竜華区シンセン
高い発電MOSFET ECH8660 補足の二重力MOSFET、-30V、-4.5A、59mΩ
ハイパワーMOSFETECH8660コンプリメンタリデュアルパワーMOSFET、-30V、-4.5A、59mΩ [Who 私たちです？] Sunbeam Electronics（Hong Kong）Co. Ltdは、半導体の調達と電子部品の販売およびサービスに10年以上注力しており、新品および未使用の元の工場で密封されたパッキング電子部品の販売を専門としています。IC、MCU、メモリ、モジュール、ダイオード、トランジスタ、IGBT、PCBA、プロトタイプ、BOMキッティングを専門としています。 Sunbeam Electronicsは、R＆D、EMS、およびディストリビューターの顧客向けの強固なチームを擁し、ISO品質システムと入荷材料のテストラボを備えており、顧客向けにサードパーティの検証サービスを提供することもできます。 [[私たちの アドバンテージ] +電子部品の調達と緊急の場合......
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
確認済みサプライヤー
国際ロジスティクスの中心A-702の第1中国南部道、シンセン、中国
BD135ケイ素NPN力トランジスター高圧力mosfet二重力mosfet
BD135ケイ素NPN力トランジスター高圧力mosfet二重力mosfet この一連のプラスチックは、medium−powerのケイ素NPNのトランジスター補足か準補足回路を利用するオーディオ・アンプおよび運転者として使用のために設計されています。 特徴 •Pb−Freeのパッケー...
Anterwell Technology Ltd.
B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国
LM7805Cシリーズ電圧安定器高圧力mosfet、二重力mosfet
LM7805Cシリーズ電圧安定器高圧力mosfet、二重力mosfet 特徴 1A以上の►の出力電流 ►の内部熱積み過ぎの保護 ►必要な外的な部品無し ►の出力トランジスター安全な区域の保護 ►の内部短絡の流れの限界 アルミニウムTO-3パッケージで利用で...
Anterwell Technology Ltd.
B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国
高い発電MOSFET ECH8660 補足の二重力MOSFET、-30V、-4.5A、59mΩ
ハイパワーMOSFETECH8660コンプリメンタリデュアルパワーMOSFET、-30V、-4.5A、59mΩ [Who 私たちです？] Sunbeam Electronics（Hong Kong）Co. Ltdは、半導体の調達と電子部品の販売およ...
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
国際ロジスティクスの中心A-702の第1中国南部道、シンセン、中国
高い発電MOSFET ECH8661 補足の二重力MOSFET 30V
高い発電MOSFET ECH8661補足の二重力MOSFET 30V [だれ私達があるか。] 太陽光線の電子工学（香港）のCo.株式会社新しいのの販売を半導体の調達および電子部品販売の焦点および10年にわたる顧客のためのサービス、専門にするであり、未使用の、元の工場...
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
国際ロジスティクスの中心A-702の第1中国南部道、シンセン、中国
高い発電MOSFET ECH8690 補足の二重力MOSFET 60V
高い発電MOSFET ECH8690補足の二重力MOSFET 60V [だれ私達があるか。] 太陽光線の電子工学（香港）のCo.株式会社新しいのの販売を半導体の調達および電子部品販売の焦点および10年にわたる顧客のためのサービス、専門にするであり、未使用の、元の工場...
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
国際ロジスティクスの中心A-702の第1中国南部道、シンセン、中国
高い発電MOSFET FDS3890 80V N-Channel二重PowerTrench® MOSFET 4.7A、44mΩ
高い発電MOSFET FDS3890 80VのN-Channelの二重PowerTrenchの® MOSFET 4.7A、44mΩ [だれ私達があるか。] 太陽光線の電子工学（香港）のCo.株式会社新しいのの販売を半導体の調達および電子部品販売の焦点および10年にわたる顧客の...
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
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