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1 - 10 の結果 circuit components wiki から 32204 製品
MAL220212682E3受動SMDの電気分解コンデンサーの回路部品
パシブ回路部品 MAL220212682E3 SMD電解コンデンサ 製品説明: Vishay / BC Components 202 PML-ST / MAL2202 スクリュー・ターミナルアルミウム電解電容器 (AEC) は,使用寿命が10年である.+85°Cで000時間,高...
シンセンZhongkaixinのマイクロ電子工学Co.、株式会社。
部屋406-408のShenfang Cの建物、Huaqiangbeiの通り、福田区、シンセン、中国
MAL219390123E3受動の回路部品SMDの電気分解コンデンサー
パシブ回路部品 MAL219390123E3 SMD電解コンデンサ 製品説明: Vishay BC Components 193 PUR-SI スナップイン パワー アルミコンパセッタシリーズは,太陽光発電の用途のために設計された.ビシャイの193つのPUR-SIスナップインパワーアル...
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RCA06032K00JNEA受動SMDの厚いフィルムの破片の抵抗器の回路部品
受動の回路部品RCA06032K00JNEA SMDの厚いフィルム抵抗器 製品の説明: 生産は厳しく制御され、再現性のために確立される広範な一組の指示に続く。サーメットのフィルムの層そしてaはガラスに両側の準備された内部の接触が付いている高い等級（Al2O3）の陶磁器の基質で沈殿する。滑ら...
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受動SMDの表面の台紙の電気分解コンデンサーの回路部品ALH82A820CB550
受動の回路部品ALH82A820CB550 SMDの電気分解コンデンサー 製品の説明: KEMET ALH82のスナップ式のコンデンサーは550Vに高いさざ波の流れおよび長命の性能を特色にする600Vの高圧評価のための場合のサイズの特定の範囲の高性能そして信頼性を提供する。容積測定の効率は...
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RCA06032K00JNEA SMDの受動の抵抗器ネットワークは回路部品を配列する
パッシブ回路コンポーネント RCA06032K00JNEA SMD 2512 レジスタネットワーク & アレイ 特徴: •AEC-Q200合格 •電圧は1415Vまで •低TCR追跡が10ppm/°Cまで低さ ±0.5%までの...
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PEG226KL4270QE4受動の回路部品SMDの電気分解コンデンサー
パッシブ回路部品 PEG226KL4270QE4 SMD電解コンデンサ 製品説明: KEMET PEG226は,優れた電気性能を持つ電解電容器です. 装置は,偏振された全溶接設計,缶詰の銅線線,ケースに接続された負極. PEG226巻きは,高純度アルミニウム蓋と高品質のゴムガスケットを...
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TNPU060349R9BZEN00受動SMDの薄膜抵抗器の回路部品
受動の回路部品TNPU060349R9BZEN00 SMDの薄膜抵抗器 特徴: •低温係数および堅い許容•ASTM B 809に従って確認される硫黄の抵抗•優秀な湿気の抵抗（85 °C;85% RH）•異なった環境条件の優秀で全面的な安定性、例えば0.05% （1000のhは70 °C）...
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MAL217250122E3受動の回路部品SMDの電気分解コンデンサー
受動の回路部品MAL217250122E3 SMDの電気分解コンデンサー 特徴: •非常に長く有用な生命:4000 hから105 °Cの10 000 h、安定性が高く、高い信頼性•170のRVZシリーズより小さい場合のサイズのまさに低いインピーダンスそして低いESR•優秀なさざ波の現在の機...
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TLE2061IDR J-FETのアンプ1回路8-SOICの表面の台紙の集積回路の部品
TLE2061IDR J-FETのアンプ1回路8-SOICの表面の台紙の集積回路の部品。 アンプのタイプ J-FET 回路の数 1 出力タイプ - スルー・レート 3.4V/µs 利益帯域幅プロダクト 2MHz 現在-入力バイアス 4pA 電圧-入力オフセット 600µV 現在-供給 290µA 現在-出力/チャネル 80mA 電圧-供給は、選抜しましたり/二倍になります（±） 7V | 36V、±3.5V | 18V 実用温度 -40°C | 85°C 在庫の他の電子部品のリスト LPC2146FBD64 NXP IP3020/BG228-250U-PS UBICOM ALC260 REALTEK BQ24740RHDR チタニウム XC6213B282GR TOREX SM371RF AB SMI S3202A SYNAPTICS ASM708SESAF-T ASM AT25640NC......
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
C12FのHuaqiangの広場、Huaqiangbeiシンセン、中国518031
TLE2061IDR J-FETのアンプ1回路8-SOICの表面の台紙の集積回路の部品
TLE2061IDR J-FETのアンプ1回路8-SOICの表面の台紙の集積回路の部品。 アンプのタイプ J-FET 回路の数 1 出力タイプ - スルー・レート 3.4V/µs 利益...
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