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1 - 10 の結果 broken silicon wafer から 1279 製品
4インチシシウエファー Dia 100mm 厚さ 350um 向き <100> DSP SSP カスタマイズされたシリコンウエファー N型 P型
シリコン・ウェーファー,シリコン・ウェーファー,シリコン・サブストラート,シリコン・サブストラート,,,,1インチ・シリコン・ウェーファー,2インチ・シリコン・ウェーファー,3インチ・シリコン・ウェーファー,4インチ・シリコン・モノ結晶基板シリコン・モノクリスタル・ウェーバー Si ワッフ...
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
平坦<50umのICのシリコンの薄片欠陥無し
製品の説明: ICのシリコンの薄片 私達の良質ICのシリコンの薄片は優秀なケイ素材料から成り、6インチ、4インチ、6インチおよび8インチSOIのウエファーで利用できる。これらのICのシリコンの薄片の表面は1からの10オームにあらゆる欠陥そして抵抗の範囲から自由である。さらに、これらのSOIの...
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部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
等級のモノクリスタル シリコンの薄片、高い抵抗のシリコンの薄片をテストして下さい
半導体ウエハー6inchの全盛のsilliconのウエファー、silliconの光学レンズ、ICのsilliconの基質、多silliconのウエファー、半導体3'はインチのシリコンの薄片、単結晶、2inch、3inch、4inch、5inch、6inch、8inchの12inchシリコンの薄片、単...
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3 Diaインチの76.2mm ICシリコンの薄片、単一の側面の磨かれたシリコンの薄片
3インチの主なsilliconのウエファー、silliconの光学レンズ、ICのsilliconの基質、多silliconのウエファー、半導体3'はインチのシリコンの薄片、単結晶3"シリコンの薄片、単一の側面シリコンの薄片を磨きました 1. 記述 密度...
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Si シリコン・ウェーファー 8インチ 直径 200mm <111>厚さ 700um Pタイプ Nタイプ シングルポーリング ダブルポーリング
製品説明 シリコンウェーファー 8インチ 直径 200mm 厚さ 700um P型 N型 シングルポーリング ダブルポーリング シリコンウエフルは,通常,高純度単結晶シリコン棒から切断される.高純度単結晶シリコン棒は,Czochralskiプロセスまたは浮遊ゾーンプロセスで準備される.そしてシリコ...
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二重側面は光学レンズのためのICのシリコンの薄片カスタマイズされたSiのレンズを磨きました
半導体ウエハー6inchの全盛のsilliconのウエファー、silliconの光学レンズ、ICのsilliconの基質、多silliconのウエファー、半導体3'はインチのシリコンの薄片、単結晶、2inch、3inch、4inch、5inch、6inch、8inchの12inchシリコンの薄片、単...
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ほう素は半導体のための高い抵抗のリンによって添加されたシリコンの薄片を添加した
ほう素は半導体のシリコンの薄片のための高い抵抗のリンによって添加されたシリコンの薄片をである薄い切れの純粋な結晶化させたケイ素添加した。ウエファーのこれらの純粋な形態は普通undopedまたは本質的なシリコンの薄片呼ばれる。半導体の企業でシリコンの薄片を使用するための理由の1...
Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.
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客室1106,CIBC,198号 武蔵道,杭州,中国人民共和国
カスタム4インチ (100mm) シリコンウェーバー: 350μm厚さ, <100> オリエンテーション,DSP/SSP,N型/P型ドーピング
Description of the Si Wafer (シワフラー) について 半導体産業で広く使用されている 精製された単一結晶シリコンから作られた薄い平らディスクですこれらのパネルは 統合回路や様々な電子機器の 生産のための基本的な基板として機能します. シリコン・ウェーバーは通常,2イン...
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部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
高度なIC、半導体、量子研究用フィルムラミネートキャリア付き正方形シリコンウェーハ
高度なIC、半導体、量子研究用フィルムラミネートキャリア付き正方形シリコンウェーハ 製品概要 ZMSHは、半導体研究および製造における最大限の効率と精度を実現するために設計された、フィルムラミネートキャリア付き正方形シリコンウェーハを紹介します。従来の円形ウェーハとは異なり、当社の正方形ウェーハ...
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12"への2"半導体のための高い抵抗のPのタイプNのタイプ シリコンの薄片
12"への2"単結晶のインゴットからウエファーの処理まで及ぶ統合された方法の半導体の半導体のBonTekの農産物のシリコンの薄片のための高い抵抗のPのタイプNのタイプ シリコンの薄片（12インチまたはより少し）。私達は両極集積回路、分離した回路およびMEMSの大量生産されたウエファーのための...
Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.
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客室1106,CIBC,198号 武蔵道,杭州,中国人民共和国
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