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0.5Amp表面の台紙の整流器のケイ素橋タイプ整流器MBFのパッケージ
MBF 0.5Ampのケイ素橋タイプ整流器 0.5Amp表面の台紙の整流器のケイ素橋タイプ整流器MBFのパッケージ MB2F~MB10F MBF Datasheet.pdf 特徴: プラスチック パッケージは保険業者の実験室を運ぶ 燃焼性の分類94V-0 プリント基板のための考え ガラス不動態化された接続点の破片 低い逆の漏出 高い前方サージ電流の機能 保証される高温にはんだ付けすること 機械データ: 場合:形成されたプラスチック ボディ ターミナル:はんだは、MIL-STD-750の方法2026年ごとにsolderableめっきした 極性:ボディで示す極性の記号 土台位置: 重量: 0.0027オンス、0.078グラム 最高の評価および特徴（Ta=25℃他に特に規定がなければ） 変数 記号 MB2F MB4F MB6F MB8F MB10F 単位 最高の反復的なピークの逆電圧 VRRM......
Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd.
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Tiananのサイバー公園、No.1 Huangjinの道、Nancheng地区、トンコワン都市、広東省、中国
1N5408整流器ダイオード3Aのシリコン・ダイオードの整流器DO-201ADのパッケージのタイプ
1N5408 DO-201AD 3Aの整流器ダイオードのケイ素整流器 1N5408整流器ダイオード3Aのシリコン・ダイオードの整流器DO-201ADのパッケージのタイプ 1N5400~1N5408 DO-27 Datasheet.pdf 特徴: プラスチック パッケージは保険業者の実験室の燃焼性の分類94V-0を運ぶ 開いた接続点の破片 低い逆の漏出 高い前方サージ電流の機能 保証される高温にはんだ付けすること ターミナルの250のC/10秒 機械データ: 場合:JEDEC DO-201ADはプラスチック ボディを形成した ターミナル:MIL-STD-750の方法2026年ごとにsolderableめっきされた軸鉛 極性:色バンドは陰極の端を表示する 土台位置: 重量:0.0345オンス、0.98grams 最高の評価および電気特徴: 25のCの周囲温度の評価他に特に規定がなければ。単一......
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表面は一般目的の整流器ダイオードS3Dのダイオードの整流器回路3Aを取付けました
S3Dのダイオードの整流器回路3Aの表面の台紙の一般目的の整流器 表面によって取付けられる一般目的の整流器ダイオードS3Dのダイオードの整流器回路3A S3A~S3M SMB Datasheet.pdf 特徴: プラスチック パッケージは保険業者の実験室の燃焼性の分類94V-0を運ぶ プリント基板のための考え 表面の取付けられた適用のため ガラス不動態化された接続点の破片 低い逆の漏出 高い前方サージ電流の機能 保証される高温にはんだ付けすること 機械データ: 場合:JEDEC DO-214AAは不動態化された破片上のプラスチック ボディを形成した ターミナル:はんだは、MIL-STD-750の方法2026年ごとにsolderableめっきした 極性:色バンドは陰極の端を表示する 土台位置: 重量:0.003オンス、0.093グラム 最高の評価および電気特徴: 25のCの周囲温度の評価他......
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1N5819ショットキーのダイオードDO-41 40Vショットキーのダイオード整流器
1N5819ショットキーのダイオードDO-41 40Vショットキーのダイオード整流器 1N5817~1N5819 DO-41 Datasheet.pdf 特徴: プラスチック パッケージは保険業者の実験室の燃焼性の分類94V-0を運ぶ 過電圧の保護のためのGuardring 低い逆の漏出 高い前方サージ電流の機能 保証される高温にはんだ付...
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電源ES1J SMA 600の電圧のための75nsシリコン・ダイオードの整流器
電源のための速のES1J SMA 600の電圧回復整流器 電源ES1J SMA 600の電圧のための75nsシリコン・ダイオードの整流器 ES1A~ES1J SMA Datasheet.pdf 特徴: プラスチック パッケージは保険業者の実験室の燃焼性の分類94V-0を運ぶ プリント基板のための考え ガラス不動態化された接続点の破片 低い逆の漏出 高い前方サージ電流の機能 保証される高温にはんだ付けすること 機械データ: 場合:形成されたプラスチック ボディ ターミナル:はんだは、MIL-STD-750の方法2026年ごとにsolderableめっきした 極性:ボディで示す極性の記号 土台位置: 重量:0.0023オンス、0.07グラム 最高の評価および電気特徴: 25のCの周囲温度の評価他に特に規定がなければ。単一フェーズ容量性負荷流れのための半波60Hzの、抵抗または誘導負荷は、20......
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DO-27 3.0Ampショットキーの障壁の単一のダイオード整流器
DO-27 3.0Ampショットキーの障壁の単一のダイオード整流器 1N5820~1N5822 DO-27 Datasheet.pdf 特徴: プラスチック パッケージは保険業者の実験室の燃焼性の分類94V-0を運ぶ 過電圧の保護のためのGuardring 低い逆の漏出 高い前方サージ電流の機能 保証される高温にはんだ付けすること...
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TZMC36-GS08ツェナー ダイオードの整流器SOD-80-2 SMD SMTの土台
TZMC36-GS08ツェナー ダイオードの整流器TLV70712PDQNR SI4435DDY-T1-GE3の分離した半導体 特徴 •まさに鋭い逆特徴 •低い逆の現在のレベル •非常に安定性が高い •低雑音 •TZMC - VZ許容± 5% •TZMB - VZ許容± 2...
Walton Electronics Co., Ltd.
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5C、造るDのギャラクシーWORLD.Longhua地区、Shenzhen.CN
取付けられる表面のためのストレイン・レリーフで造られるRoHSのシリコン・ダイオードの整流器
3Amp 1000V S3M SMBFの一般目的の整流器ダイオード S3A~S3M SMBF Datasheet.pdf 記述: プラスチック パッケージは保険業者の実験室の燃焼性の分類94V-0を運ぶ 表面の取付けられた適用のため 低い逆の漏出 自動化された配置高い前方サージ電流の機能にとって理想的な作り付けのストレイン・レリーフ 高温にはんだ付けすることは保証した:ターミナルの250°C/10秒 機械データ: 場合:不動態化された破片上のプラスチック ボディ ターミナル:はんだは、MIL-STD-750の方法2026年ごとにsolderableめっきした 極性:色バンドは陰極の端を表示する 土台位置: 重量:0.003オンス、0.093グラム 最高の評価および電気特徴 25のCの周囲温度の評価他に特に規定がなければ。単一フェーズ容量性負荷流れのための半波60Hzの、抵抗または誘導負荷......
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TZMC36-GS08ツェナー ダイオードの整流器SOD-80-2 SMD SMTの土台
TZMC36-GS08ツェナー ダイオードの整流器TLV70712PDQNR SI4435DDY-T1-GE3の分離した半導体 特徴 •まさに鋭い逆特徴 •低い逆の現在のレベル •非常に安定性が高い •低雑音 •TZMC - VZ許容± 5% •TZMB - VZ許容± 2...
Walton Electronics Co., Ltd.
5C、造るDのギャラクシーWORLD.Longhua地区、Shenzhen.CN
単一MBR8045ショットキーのダイオード整流器のスタッドのタイプ45V 80A DO5
ダイオード、整流器単一MBR8045ショットキーのダイオードはタイプ80 Aのダイオード ショットキー45V 80A DO5を散りばめる 部門 分離した半導体製品 製造業者 GeneSiC半導体 包装 大きさ...
Yingxinyuan Int'l(Group) Ltd.
7F、造るFのLongjing科学公園、335 Bulongの道、Ma Antangのコミュニティ、Bantianの通り、Longgang地区、シンセン、中国
を提出してください “bridge diode rectifier”
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