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1 - 10 の結果 bipolar junction transistor から 10000 製品
2N3439穴TO393を通したバイポーラ トランジスタICの破片
穴TO-39-3を通した2N3439分離した半導体の両極トランジスター 製造業者: 元 製品カテゴリ: 両極トランジスター- BJT RoHS: N 様式の取付け:...
Walton Electronics Co., Ltd.
確認済みサプライヤー
5C、造るDのギャラクシーWORLD.Longhua地区、Shenzhen.CN
2N3439穴TO393を通したバイポーラ トランジスタICの破片
穴TO-39-3を通した2N3439分離した半導体の両極トランジスター 製造業者: 元 製品カテゴリ: 両極トランジスター- BJT RoHS: N 様式の取付け:...
Walton Electronics Co., Ltd.
5C、造るDのギャラクシーWORLD.Longhua地区、Shenzhen.CN
TPS54418ARTERのバイポーラ トランジスタNPN PNP 200mWテキサス・インスツルメント
NPN PNPのトランジスター テキサス・インスツルメント/TI TPS54418ARTER Vin （分） （v） 2.95 Vin （最高の） （v） 6 Vout （分） （v） 0.8...
Yingxinyuan Int'l(Group) Ltd.
7F、造るFのLongjing科学公園、335 Bulongの道、Ma Antangのコミュニティ、Bantianの通り、Longgang地区、シンセン、中国
PBHV8540Xの分離した半導体デバイスPBHV8540 Nexperia両極BJTのトランジスター
製品の説明 PBHV8540X PBHV8540 Nexperia両極BJTのトランジスター分離した半導体 PBHV8540X PBHV8540 Nexperiaの両極（BJT）トランジスター500V 0.5 NPN NPN高圧低いVCEsat （BISS）のトランジスター 分離し...
Guangzhou Topfast Technology Co., Ltd.
部屋2201-03の部屋2206のChangfengインターナショナル1、第96のLixin第12道、増城市地区、広州都市、広東省
ダーリントン両極Mosfet力トランジスターTIP147 10A現在の100V電圧
MOSFETトランジスタTO-3P TIP147 10A 100V PNPダーリントンバイポーラパワートランジスタ TIP140、TIP141、TIP142、（NPN）; TIP145、TIP146、TIP147、（PNP） 説明 デバイスは、「ベースアイランド」レイアウトとモノリ...
Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
部屋1120の床11rdのアジア新しいGuoliの建物、福田区、シンセン都市、広東省中国のジッパー:518031
2N3792両極トランジスターBJT 80V 10A 5000mW 3 Pin TO-3の皿
2N3792両極トランジスターBJT力BJT TRANS GP BJT PNP 80V 10A 5000mW 3 Pin （2+Tab）のTO-3皿 製品カテゴリ: 両極トランジスター- BJT RoHS: N 様...
Walton Electronics Co., Ltd.
5C、造るDのギャラクシーWORLD.Longhua地区、Shenzhen.CN
MPS6560両極トランジスターBJT分離した半導体625mW
MPS6560両極トランジスターBJT分離した半導体の原物 製品特質 属性値 製品カテゴリ: 両極トランジスター- BJT トランジスター極性: NPN 構成: 単一...
Walton Electronics Co., Ltd.
5C、造るDのギャラクシーWORLD.Longhua地区、Shenzhen.CN
JAN2N2907A PNPの両極トランジスター
穴の原物によって単一JAN2N2907A BJTsの両極トランジスターPNP 製品特質 属性値 製品カテゴリ: 両極トランジスター- BJT RoHS: N 様式の取付け:...
Walton Electronics Co., Ltd.
5C、造るDのギャラクシーWORLD.Longhua地区、Shenzhen.CN
超高速IGBTのトランジスターNチャネル、ダイオードで造られるを用いる絶縁されたゲートの両極トランジスター
G40N60UFDダイオード600V 40A 160W、TO-3Pで造られるを用いる超高速IGBTのトランジスターNチャネル 記述: フェアチャイルドのUFDの一連のInsulatedゲートの両極トランジスター(IGBTs)は低い伝導および切換えの損失を提供します。UFDシリーズは運動制御...
Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
部屋1120の床11rdのアジア新しいGuoliの建物、福田区、シンセン都市、広東省中国のジッパー:518031
ダーリントン両極Mosfet力トランジスターTIP142アンプの切換えの適用
ダーリントン アンプおよび切換えの塗布のための両極Mosfet力トランジスターTIP142 TIP140、TIP141、TIP142、（NPN）;TIP145、TIP146、TIP147、（PNP）記述 装置は「基礎島」のレイアウトおよびダーリントン単一構成の平面の技術で製造されます。非常に低...
Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
部屋1120の床11rdのアジア新しいGuoliの建物、福田区、シンセン都市、広東省中国のジッパー:518031
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