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特徴:
記述:
適用:
| 部品番号。 | 破片材料 | レンズ色 | 源色 | |
| DL-F50SRGBC2E-F2 | R | AlGaInP | 水ゆとり | 超赤い |
| G | InGaN | 純粋な緑 | ||
| B | InGaN | 青 | ||
Ta=25℃の絶対最高評価
| 変数 | 記号 | 最高。 | 単位 |
| 電力損失（破片ごとに） | PD | 200 | MW |
|
ピーク前方流れ （1/10の使用率、0.1ms脈拍幅） |
IFP | 100 | mA |
| 前方流れ | 40 | mA | |
| 50℃から線形軽減 | 0.4 | mA/℃ | |
| 逆電圧 | VR | 5 | V |
| 静電放電（HBM） | ESD | 2000年 | V |
| 実用温度範囲 | Topr | -40℃への+85℃ | |
| 保管温度の範囲 | Tstg | -40℃への+100℃ | |
|
鉛のはんだ付けする温度 [ボディからの4mm （.157の″）] |
Tsld | 5秒の260℃ | |
Ta=25℃の電気光学特徴
| 変数 | 記号 |
出ること 色 |
Min. | タイプ。 | 最高。 | 単位 | テスト条件 |
| 光度* | IV | 赤い | --- | 1000 | --- | mcd |
VDD =4.50V （ノート1） |
| 緑 | --- | 2000年 | --- | ||||
| 青 | --- | 1000 | --- | ||||
| 視野角 | 2θ1/2 | --- | --- | 60 | --- | Deg |
VDD =4.50V （ノート2） |
| ピーク放出波長 | λp | 赤い | --- | 632 | --- | nm | VDD =4.50V |
| 緑 | --- | 518 | --- | ||||
| 青 | --- | 468 | --- | ||||
| 主波長 | λd | 赤い | --- | 624 | --- | nm |
VDD =4.50V （ノート3） |
| 緑 | --- | 523 | --- | ||||
| 青 | --- | 470 | --- | ||||
| スペクトル線の半幅 | △λ | 赤い | --- | 20 | --- | nm |
IF=20mA （破片ごとに） |
| 緑 | --- | 35 | --- | ||||
| 青 | --- | 25 | --- | ||||
| 点滅の頻度 | F | --- | --- | 2.4 | --- | Hz | VDD =4.50V |
| 頻度許容 | 逃げられる | --- | --- | ±20% | --- | Hz | VDD =4.50V |
| 時間通りに回しなさい | 義務 | --- | --- | 1/20 | 氏 | VDD =4.50V | |
| 作動の電圧 | VF | --- | 2.00 | 4.50 | 5.00 | V | |
| 逆の流れ | IR | --- | --- | --- | 50 | µA | VR =5V |
注:
1. 光度はCIEの目応答のカーブを近づける軽いセンサーおよびフィルター組合せと測定される。
2. θ1/2は光度が軸光度半分ののoff-axis角度である。
3. 主波長（λd）はCIEの色度図から得られ、装置の色を定義する単一の波長を表す。
4. 変更に応じて予告なしに上で示されているすべてのspecsおよび適用。
注:
ダイオードのパッケージ次元を出すLED:
香港の二重軽い電子工学はシンセン、中国にあった専門LEDの製造業者として2005で創設された。私達は主にTHT LEDs、破片LEDs、LED表示、赤外線LEDs、ドット マトリクス、LCDのバックライトおよびLEDの照明設備含んでいる自動生産ラインが付いている広い製品の範囲を作り出す。
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