940nm赤外線出るダイオードのTranmitter IRモジュールの赤外線フォトトランジスターOndition IC=100μAのEe=0mW/cmの²

940nm赤外線出るダイオードのTranmitter IRモジュールの赤外線フォトトランジスターOndition IC=100μAのEe=0mW/cmの²

5mm LEDのフォトトランジスター

1. 特徴:

1. 5mmの円形の標準t-1 3/4のパッケージ。
2. 速い応答時間。
3. 高い写真の感受性。
4. 小さい接続点キャパシタンス。
5. プロダクト自体はRoHSの迎合的な版の内に残ります。

1. 記述:

1. 583PTDは標準的なΦ5パッケージの高速および高く敏感なケイ素NPNのフォトトランジスターです。
2. 黒いエポキシが原因で、装置は可視ライトおよび赤外放射に一致します。

1. 適用:

1. 赤外線応用システム。
2. 光電子工学の自動制御システム。
3. 光電子工学スイッチ。
4. カメラ。
5. プリンター。
6. カウンターおよび選別機。
7. エンコーダー。
8. フロッピーディスク・ドライブ。
9. ビデオ・カメラ、テープおよびカード読取り装置。
10. 位置センサー。

1. Ta=25℃の絶対最高評価

   変数	記号	評価	単位
   電力損失	PD	75	MW
   コレクター エミッターの電圧	VCEO	30	V
   エミッター コレクター電圧	VECO	5	V
   コレクター流れ	IC	20	mA
   実用温度	TOPR	-40から+85	℃
   保管温度	TSTG	-40から+100	℃
   鉛のはんだ付けする温度	TSOL	260℃	℃

    

   Ta=25℃の電気光学特徴

   変数	記号	最少。	Typ。	最高。	単位	条件
   コレクター エミッターの絶縁破壊電圧	BVCEO	30	---	---	V	IC=100μA、 Ee=0mW/cmの²
   エミッター コレクターの絶縁破壊電圧	BVECO	5	---	---	V	すなわち=100μA、 Ee=0mW/cmの²
   コレクター エミッターの飽和電圧	Vセリウム（SAT）	---	---	0.40	V	IC=0.70mA、 Ee=1mW/cm2
   コレクター暗電流	ICEO	---	---	100	nA	Ee=0mW/cmの²、 VCE=20V
   オン州のコレクター流れ	IC（）	0.70	2.00	---	mA	Ee=1mW/cmの²、 VCE=5V
   光学上昇時間（10%に90%）	TR	---	15	---	μs	VCE=5V、 IC=1mA、 RL=100Ω
   光学落下時間（90%に10%）	TF	---	15	---
   受信の角度	2θ1/2	---	30	---	Deg
   ピーク感受性の波長	λP	---	940	---	nm
   分光帯域幅の鳴りました	λ0.5	400	---	1100	nm