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GaAsの破片材料120の程度0.06のワット850nm irは破片0850 SMDの発光ダイオードを導きました
SMDの赤外線出るダイオード
| 変数 | 記号 | 最少。 | Typ。 | 最高。 | 単位 | テスト条件 |
| 放射強度* | Ee | 0.20 | 0.35 | --- | mW/sr | IF=20mA |
| --- | 2.50 | --- |
IF=100mA （脈拍Width≤100µs、Duty≤1%） |
|||
| 視野角* | 2θ 1/2 | --- | 140 | --- | Deg | IF=20mA （ノート2） |
| ピーク放出波長 | λp | --- | 940 | --- | nm | IF=20mA （ノート3） |
| 分光帯域幅 | △λ | --- | 50 | --- | nm | IF=20mA |
| 前方電圧 | VF | 0.80 | 1.20 | 1.50 | V | IF=20mA |
| --- | 1.60 | 1.80 |
IF=100mA （脈拍Width≤100µs、Duty≤1%） |
|||
| 逆の流れ | IR | --- | --- | 10 | µA | VR=5V |
注:
明るい（放射）強度の測定の手当は± 10%の。θ1/2です光度が軸光度半分のの以外軸線の角度です。主波長（λp）はCIEの色度図から得られ、装置の色を定義する単一の波長を表します。| 変数 | 記号 | 最高。 | 単位 |
| 電力損失 | PD | 100 | MW |
|
ピーク前方流れ （1/10の使用率、0.1ms脈拍幅） |
IFP | 1.00 | A |
| 前方流れ | 50 | mA | |
| 逆電圧 | VR | 5 | V |
| 実用温度範囲 | Topr | -40℃への+80℃ | |
| 保管温度の範囲 | Tstg | -40℃への+100℃ | |
| 鉛のはんだ付けする温度 | Tsld | 5秒の260℃ | |
