Shenzhen Zesheng Semiconductor Technology Co., Ltd.

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フラッシュ・メモリの破片

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 フラッシュ・メモリの破片

元のGD25Q127CSIGコンピュータIC破片フラッシュ・メモリIC

元のGD25Q127CSIGコンピュータIC破片フラッシュ・メモリIC 抜け目がない128Mbit抜け目がない/3.3V /SOP8 208mil /Industrial (- 40か。+85か。) /Tubeに 指定 ......
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元のGD25Q127CSIGコンピュータIC破片フラッシュ・メモリIC

元のGD25Q127CSIGコンピュータIC破片フラッシュ・メモリIC 抜け目がない128Mbit抜け目がない/3.3V /SOP8 208mil /Industrial (- 40か。+85か。) /Tubeに 指定 製品特質 属性値 製造業者: GigaDevice 製品カテゴリ: 抜け目がない ...
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SST39VF1601C-70-4I-EKEのフラッシュ・メモリは2.7 Vの集積回路ICの破片を欠く

新しく、元のSST39VF1601C-70-4I-EKEのICメモリーICは欠ける SST39VF1601CおよびSST39VF1602C装置は多目的抜け目がないプラス(MPF+)が専有SSTと製造した1M x16 CMOS高性能CMOS SuperFlashの技術である。割れ目ゲートの細胞......
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SST39VF1601C-70-4I-EKEのフラッシュ・メモリは2.7 Vの集積回路ICの破片を欠く

新しく、元のSST39VF1601C-70-4I-EKEのICメモリーICは欠ける SST39VF1601CおよびSST39VF1602C装置は多目的抜け目がないプラス(MPF+)が専有SSTと製造した1M x16 CMOS高性能CMOS SuperFlashの技術である。割れ目ゲートの細胞の設計お...
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新しく、元のフラッシュ・メモリは様式を取付けるDS1314S-2+のT R SMTを欠く

新しく、元のDS1314S-2+T&RのICメモリーのコントローラー 電池のモニターが付いているDS1314不揮発性コントローラーは不揮発性メモリにCMOSのRAMを変える適用問題を解決するCMOS回路である。入って来る力は出口のために監視されるか。の許容状態。そのような条件が検出さ......
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新しく、元のフラッシュ・メモリは様式を取付けるDS1314S-2+のT R SMTを欠く

新しく、元のDS1314S-2+T&RのICメモリーのコントローラー 電池のモニターが付いているDS1314不揮発性コントローラーは不揮発性メモリにCMOSのRAMを変える適用問題を解決するCMOS回路である。入って来る力は出口のために監視されるか。の許容状態。そのような条件が検出されるとき、破片は...
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新しく、オリジナルUSBのメモリー チップM24512-DRMF3TG/Kの記憶集積回路

新しく、元のM24512-DRMF3TG/KのICメモリーIC M24512-A125は125まで°C.を作動させる512-Kbit連続EEPROMの自動車等級装置である。M24512-A125は自動車標準的なAEC-Q100等級によって1.定義される信頼性のまさにhigh-levelと迎合......
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新しく、オリジナルUSBのメモリー チップM24512-DRMF3TG/Kの記憶集積回路

新しく、元のM24512-DRMF3TG/KのICメモリーIC M24512-A125は125まで°C.を作動させる512-Kbit連続EEPROMの自動車等級装置である。M24512-A125は自動車標準的なAEC-Q100等級によって1.定義される信頼性のまさにhigh-levelと迎合的である...
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FM24C04B-GTRのフラッシュ・メモリICの破片の集積回路F-RAMの記憶IC

新しく、元のFM24C04B-GTRの集積回路F-RAMの記憶IC FM24C04Bは高度のferroelectricプロセスを用いる4-Kbit不揮発性メモリである。ferroelectric RAMメモリかF-RAMは不揮発性で、読み、書くRAMに類似した行う。それは151年間EEPRO......
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FM24C04B-GTRのフラッシュ・メモリICの破片の集積回路F-RAMの記憶IC

新しく、元のFM24C04B-GTRの集積回路F-RAMの記憶IC FM24C04Bは高度のferroelectricプロセスを用いる4-Kbit不揮発性メモリである。ferroelectric RAMメモリかF-RAMは不揮発性で、読み、書くRAMに類似した行う。それは151年間EEPROMおよび...
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