Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

サンフアン・エレクトロニクス (香港) 株式会社

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DS3065W-100# IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 256BGA アナログデバイス株式会社/マキシム統合

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DS3065W-100# IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 256BGA アナログデバイス株式会社/マキシム統合

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モデル番号 :DS3065W-100#
最低注文量 :1
支払条件 :T/T
供給能力 :ストック
配達時間 :3~5 営業日
パッケージの詳細 :アンチステティックバッグと紙箱
記憶タイプ :不揮発性
記憶フォーマット :NVSRAM
テクノロジー :NVSRAM (不揮発性SRAM)
記憶容量 :8Mbit
記憶構成 :1M x 8
記憶インターフェイス :パラレル
クロック周波数 :-
周期にタイムの単語、ページを書きなさい :100ns
アクセス時間 :100ns
電圧 - 供給 :3V~3.6V
動作温度 :-40°C ~ 85°C (TA)
マウントタイプ :表面マウント
パッケージ/ケース :256-BGA
供給者のデバイスパッケージ :256-BGA (27x27)
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製品詳細

30年以上のセラミックとフェライト技術の経験に基づいて,Murata Electronicsの全範囲の鉛付きEMIフィルターは,今日の電子産業の要件を満たすために設計されています.

Murataのリード装置はフェライトビーズインデューサー,フィードスルーコンデンサ,3つのターミナルコンデンサ,バリスト/コンデンサ,コモンモードストロッカー,ブロックフィルターで構成されている.

仕様

属性 属性値
製造者 マキシム 統合
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ -
パッケージ トレー
パッケージケース 256-BGA
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 3V~3.6V
供給者 デバイス パッケージ 256-BGA (27x27)
記憶容量 8M (1M x 8)
メモリタイプ NVSRAM (非揮発性 SRAM)
スピード 100ns
フォーマットメモリ RAM

記述

NVSRAM (非揮発性 SRAM) メモリIC 8Mb (1M x 8) パラレル100ns 256-BGA (27x27)
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