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Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

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R1LP0108ESF-5SI#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

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モデル番号 :R1LP0108ESF-5SI#B0

最低注文量 :1

支払条件 :T/T

供給能力 :ストック

配達時間 :3~5 営業日

パッケージの詳細 :アンチステティックバッグと紙箱

記憶タイプ :揮発

記憶フォーマット :SRAM

テクノロジー :SRAM

記憶容量 :1Mビット

記憶構成 :128K X 8

記憶インターフェイス :パラレル

クロック周波数 :-

周期にタイムの単語、ページを書きなさい :55ns

アクセス時間 :55 ns

電圧 - 供給 :4.5V~5.5V

動作温度 :-40°C ~ 85°C (TA)

マウントタイプ :表面マウント

パッケージ/ケース :32-TFSOP （0.724"、18.40mmの幅）

供給者のデバイスパッケージ :32-TSOP I

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製品詳細

記述

R1LV0108Eシリーズは,Renesasの高性能0.15um CMOSとTFT技術によって製造された,131,072ワード×8ビットとして組織された低電圧1Mbit静的RAMの一族である.R1LV0108Eシリーズは,より高い密度を実現しましたR1LV0108Eシリーズは,シンプルなインターフェース,バッテリーの動作とバックアップは重要な設計目標です32ピンのSOP,32,32,33,33,33,33,33,33,33,34,34,34,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,35,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,36,

特徴

• 単一の2.7~3.6V電源
低待機電流: 1μA (3.0V,典型)
● 時計も更新もない
• すべての入力と出力はTTL互換性があります.
• CS1# と CS2 でメモリの拡張を容易にする
• 共通データ I/O
3つの状態の出力: OR-tie 能力
• OE# は I/O バスのデータ衝突を防ぐ

仕様

属性	属性値
製造者	レネサス・エレクトロニクスアメリカ
製品カテゴリー	メモリIC
シリーズ	-
パッケージ	トレイ代替パッケージ
パッケージケース	32TFSOP (0.724", 18.40mm 幅)
動作温度	-40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース	パラレル
電圧供給	4.5V~5.5V
供給者デバイスパッケージ	32-TSOP (8x20)
記憶容量	1M (128K x 8)
メモリタイプ	SRAM
スピード	55ns
フォーマットメモリ	RAM

記述

SRAMメモリIC 1Mb (128K x 8) パラレル55ns 32-TSOP (8x20)

SRAMチップアシンクシングル 5V 1M-ビット 128K x 8 55ns 32ピンTSOP-Iトレイ

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