Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

サンフアン・エレクトロニクス (香港) 株式会社

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BQ4010MA-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP テキサスインストゥルメント

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BQ4010MA-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP テキサスインストゥルメント

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モデル番号 :BQ4010MA-85
最低注文量 :1
支払条件 :T/T
供給能力 :ストック
配達時間 :3~5 営業日
パッケージの詳細 :アンチステティックバッグと紙箱
記憶タイプ :不揮発性
記憶フォーマット :NVSRAM
テクノロジー :NVSRAM (不揮発性SRAM)
記憶容量 :鎮ㄨ鎵剧殑璧勬簮宸茶鍒犻櫎銆佸凡鏇村悕鎴栨殏鏃朵笉鍙敤銆
記憶構成 :8K X 8
記憶インターフェイス :パラレル
クロック周波数 :-
周期にタイムの単語、ページを書きなさい :85n
アクセス時間 :85ns
電圧 - 供給 :4.75V~5.5V
動作温度 :0°C~70°C (TA)
マウントタイプ :穴を抜ける
パッケージ/ケース :28DIPモジュール (0.61",15.49mm)
供給者のデバイスパッケージ :28DIPモジュール (18.42x37.72)
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製品詳細

記述/特徴

10BQ040 表面マウントのショットキー直線器は,低前落とPCボードの非常に小さな足跡を必要とするアプリケーションのために設計されています.典型的なアプリケーションはディスクドライブ,電源を切り替えるバッテリー充電と バッテリー保護

• 足跡 が 小さく,表面 に 装着 できる

• 前向きの電圧の低減
• 高周波操作
• 耐久性 と 長期 的 な 信頼性 を 向上 さ せる 保護 環

仕様

属性属性値
製造者テキサス・インストラクション
製品カテゴリーメモリIC
シリーズ-
パッケージトレー
パッケージケース28DIPモジュール (0.61",15.49mm)
動作温度0°C~70°C (TA)
インターフェースパラレル
電圧供給4.75V~5.5V
供給者 デバイス パッケージ28DIPモジュール (18.42x37.72)
記憶容量64K (8K x 8)
メモリタイプNVSRAM (非揮発性 SRAM)
スピード85n
フォーマットメモリRAM

記述

NVSRAM (非揮発性 SRAM) メモリ IC 64Kb (8K x 8) パラレル 85ns 28-DIP モジュール (18.42x37.72)
NVRAM NVSRAM パラレル 64Kbit 5V 28ピンのDIPモジュール
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