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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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IS43R32400E-5BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA ISSI 統合シリコンソリューション株式会社

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モデル番号 :IS43R32400E-5BL-TR

最低注文量 :1

支払条件 :T/T

供給能力 :ストック

配達時間 :3~5 営業日

パッケージの詳細 :アンチステティックバッグと紙箱

記憶タイプ :揮発

記憶フォーマット :ドラム

テクノロジー :SDRAM - DDR

記憶容量 :128Mbit

記憶構成 :4M × 32

記憶インターフェイス :パラレル

クロック周波数 :200 MHz

周期にタイムの単語、ページを書きなさい :15ns

アクセス時間 :700 ps

電圧 - 供給 :2.3V | 2.7V

動作温度 :0°C~70°C (TA)

マウントタイプ :表面マウント

パッケージ/ケース :144-LFBGA

供給者のデバイスパッケージ :144-LFBGA (12x12)

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製品詳細

特徴

● 標準電圧: VDD と VDDQ = 1.5V ± 0.075V
● 低電圧 (L): VDD と VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- 1.5Vまでバックコンパクト
● 高速データ転送速度
933 MHz まで
● 8 つの内部バンクが同時に動作する
● 8n ビットプリフェッチアーキテクチャ
● プログラム可能な CAS 遅延
● プログラム可能な添加遅延: 0,CL-1,CL-2
● プログラム可能なCAS WRITE レイテンシー (CWL)
● プログラムできる爆発長さ: 4 と 8
● プログラムできる爆発配列: 配列や交差配列
● 瞬く間に BL を切り替える
● 自動更新 (ASR)
● 自発更新温度 (SRT)
● 更新期間:
7.8 us (8192サイクル/64 ms) Tc=-40°Cから85°C
3.9 us (8192サイクル/32 ms) Tc= 85°Cから105°C
● 部分配列自動更新
● アシンクロンな RESET ピン
● TDQS (Termination Data Strobe) がサポートされています (x8のみ)
●OCD (オフチップドライバー阻害調整)
● ダイナミック ODT (オン・ダイ・ターミネーション)
● ドライバーの強さ: RZQ/7,RZQ/6 (RZQ = 240)
● 書き込みのレベル
● DLL のオフモードで 200 MHz まで
● 動作温度:
商業用 (TC=0°Cから+95°C)
工業用 (TC=-40°Cから+95°C)
自動車用,A1 (TC = -40°Cから+95°C)
自動車用 A2 (TC = -40°Cから+105°C)

仕様

属性	属性値
製造者	ISSI
製品カテゴリー	メモリIC
シリーズ	IS43R32400E
タイプ	DDR1
パッケージ	テープ&ロール (TR) 代替包装
マウントスタイル	SMD/SMT
パッケージケース	144-LFBGA
動作温度	0°C~70°C (TA)
インターフェース	パラレル
電圧供給	2.3V~2.7V
供給者デバイスパッケージ	144-LFBGA (12x12)
記憶容量	128M (4M x 32)
メモリタイプ	DDR SDRAM
スピード	200MHz
アクセス時間	5 ns
フォーマットメモリ	RAM
最大動作温度	+70°C
動作温度範囲	0 C
組織	4 M × 32
供給電流最大	320mA
データバスの幅	32ビット
供給電圧最大	2.7V
供給電圧-分	2.3V
パッケージケース	LFBGA-144
最大時計周波数	200 MHz

記述

SDRAM - DDRメモリIC 128Mb (4M x 32) パラレル200MHz 700ps 144-LFBGA (12x12)

DRAMチップ DDR SDRAM 128Mbit 4Mx32 2.5V 144-ピン LFBGA T/R

DRAM 128M (4Mx32) 200MHz DDR 2.5v

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