Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

サンフアン・エレクトロニクス (香港) 株式会社

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R1LV1616RSD-7SI#B0 IC SRAM 16MBIT PAR 52TSOP II レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

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R1LV1616RSD-7SI#B0 IC SRAM 16MBIT PAR 52TSOP II レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

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モデル番号 :R1LV1616RSD-7SI#B0
最低注文量 :1
支払条件 :T/T
供給能力 :ストック
配達時間 :3~5 営業日
パッケージの詳細 :アンチステティックバッグと紙箱
記憶タイプ :揮発
記憶フォーマット :SRAM
テクノロジー :SRAM
記憶容量 :16Mbit
記憶構成 :2M x 8、1M x 16
記憶インターフェイス :パラレル
クロック周波数 :-
周期にタイムの単語、ページを書きなさい :70ns
アクセス時間 :70 ns
電圧 - 供給 :2.7V~3.6V
動作温度 :-40°C ~ 85°C (TA)
マウントタイプ :表面マウント
パッケージ/ケース :52-TFSOP (0.350",8.89mm 幅)
供給者のデバイスパッケージ :52-TSOPII
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仕様

属性 属性値
製造者 レネサス・エレクトロニクス アメリカ
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ -
パッケージ トレー
パッケージケース 52-TFSOP (0.350",8.89mm 幅)
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 2.7V~3.6V
供給者 デバイス パッケージ 52-TSOPII
記憶容量 16M (2M x 8, 1M x 16)
メモリタイプ SRAM
スピード 70n
フォーマットメモリ RAM

記述

SRAMメモリIC 16Mb (2M x 8, 1M x 16) パラレル70ns 52-TSOP II
SRAMチップアシンク シングル 3V 16Mビット 2M/1M x 8/16ビット 70ns 52ピンTSOP-IIトレイ
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