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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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M29F800FB5AN6E2 IC フラッシュ 8MBIT PARALLEL 48TSOP I アライアンスメモリー,インク

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モデル番号 :M29F800FB5AN6E2

最低注文量 :1

支払条件 :T/T

供給能力 :ストック

配達時間 :3~5 営業日

パッケージの詳細 :アンチステティックバッグと紙箱

記憶タイプ :不揮発性

記憶フォーマット :フラッシュ

テクノロジー :フラッシュ-

記憶容量 :8Mbit

記憶構成 :1M x 8、512K X 16

記憶インターフェイス :パラレル

クロック周波数 :-

周期にタイムの単語、ページを書きなさい :55ns

アクセス時間 :55 ns

電圧 - 供給 :4.5V~5.5V

動作温度 :-40°C ~ 85°C (TA)

マウントタイプ :表面マウント

パッケージ/ケース :48-TFSOP （0.724"、18.40mmの幅）

供給者のデバイスパッケージ :48-TSOP I

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製品詳細

一般説明

この記述は,特にM29F 16Mb (2 Meg x 8または1 Meg x 16) 非揮発性メモリデバイスに適用されますが,低密度にも適用されます.デバイスは READ,ERASE,単一のシステムを使用する低電圧 (4.5~5.5V) の電源です.電源を入れると,デバイスはデフォルトで読み取りモードに設定され,ROMやEPROMと同じ方法で読み取れます.
デバイスは独立して削除できるブロックに分かれ,古いデータが削除される間に有効なデータが保存されます.各ブロックは,メモリを変更する偶然のプログラムまたはERASE操作を防ぐために独立して保護することができます.. PROGRAM と ERASE コマンドはコマンドインターフェースに書き込まれます.チップ内プログラム/消去コントローラは,メモリコンテンツを更新するために必要な操作を管理することによって,デバイスのプログラミングまたは消去のプロセスを簡素化します.
PROGRAM またはERASE 操作の終了が検出され,エラー条件が特定される.メモリを制御するために必要なコマンドセットは,JEDEC 規格と一致する.

特徴

• 供給電圧
VCC = 5V
• アクセス時間: 55 ns
• プログラム/削除コントローラ
組み込みバイト/ワードプログラムアルゴリズム
• 停止と再起動モードを消す
• 低電力消費
スタンバイと自動スタンバイ
ブロックあたり10万回のプログラム/消去
• 電子署名
製造者コード: 0x01h
• 最上位デバイスコード
M29F200FT: 0x2251
M29F400FT: 0x2223
M29F800FT: 0x22D6
M29F160FT: 0x22D2
• 底部装置のコード
M29F200FB: 0x2257
M29F400FB: 0x22AB
M29F800FB: 0x2258
M29F160FB: 0x22D8
• RoHS に準拠するパッケージ
TSOP48
SO44 (16Mb このパッケージでは利用できません)
• 自動車用装置 3級
温度は40~+125°C
• 自動車用装置 6 級
温度は40〜85°C
自動車用品の認証 (AEC-Q100)

仕様

属性	属性値
製造者	マイクロン・テクノロジー株式会社
製品カテゴリー	メモリIC
シリーズ	-
パッケージ	トレイ代替パッケージ
パッケージケース	48-TFSOP (0.724", 18.40mm 幅)
動作温度	-40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース	パラレル
電圧供給	4.5V~5.5V
供給者デバイスパッケージ	48-TSOP
記憶容量	8M (1M x 8,512K x 16)
メモリタイプ	FLASH - NOR
スピード	55ns
フォーマットメモリ	フラッシュ

記述

FLASH - NOR メモリ IC 8Mb (1M x 8, 512K x 16) パラレル 55ns 48-TSOP

NOR フラッシュパラレル 5V 8M ビット 1M x 8/512K x 16 55ns オートモーティブ 48ピンTSOPトレイ

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