Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

サンフアン・エレクトロニクス (香港) 株式会社

Manufacturer from China
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71V25761S166PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

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71V25761S166PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

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モデル番号 :71V25761S166PFG8
最低注文量 :1
支払条件 :T/T
供給能力 :ストック
配達時間 :3~5 営業日
パッケージの詳細 :アンチステティックバッグと紙箱
記憶タイプ :揮発
記憶フォーマット :SRAM
テクノロジー :SRAM -、SDR同期
記憶容量 :4.5Mbit
記憶構成 :128K × 36
記憶インターフェイス :パラレル
クロック周波数 :166 MHz
周期にタイムの単語、ページを書きなさい :-
アクセス時間 :3.5 ns
電圧 - 供給 :3.135V~3.465V
動作温度 :-40°C ~ 85°C (TA)
マウントタイプ :表面マウント
パッケージ/ケース :100-LQFP
供給者のデバイスパッケージ :100-TQFP (14x20)
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製品詳細

記述

IDT71V256SAは, 32K x 8 として組織された 262,144 ビット高速静的 RAM で,IDTの高性能,高信頼性 CMOS テクノロジーを用いて製造されています.

特徴

• 高性能プロセッサのセカンドキャッシュに最適
• 商業用 (0°~70°C) と産業用 (-40°~85°C)
温度オプション
• 迅速なアクセス時間:
商用: 10/12/15/20ns
産業用: 15n
低待機電流 (最大)
2mA 完全待機状態
• 空間効率の良い配置のための小型パッケージ:
28ピンの300mlSOJ
28ピンの300ミリプラスチックDIP (商業用のみ)
28ピンのTSOPタイプI
• 高性能 CMOS で 製造 さ れ た
テクノロジー
■入力と出力はLVTTL対応
単一の 3.3V (±0.3V) 電源

仕様

属性 属性値
製造者 統合回路システム
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ 71V25761S166
タイプ シンクロン
パッケージ テープ&ロール (TR) 代替包装
単位重量 0.023175オンス
マウントスタイル SMD/SMT
パッケージケース 100LQFP
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 3.135V~3.465V
供給者 デバイス パッケージ 100TQFP (14x20)
記憶容量 4.5M (128K×36)
メモリタイプ SRAM - 同期
スピード 166MHz
アクセス時間 3.5 ns
フォーマットメモリ RAM
最大動作温度 +70°C
動作温度範囲 0 C
インターフェースタイプ パラレル
組織 128k x 36
供給電流最大 320mA
パート#アリアス 71V25761 IDT71V25761S166PFG8
供給電圧最大 3.465V
供給電圧-分 3.135V
パッケージケース TQFP-100
最大 時計周波数 166 MHz
機能的に互換性のある部品形式 パッケージ 機能互換性のある部品
製造者 パーツ# 記述 製造者 比較する
IDT71V25761S166PFI8
記憶力
キャッシュ SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 インテグレテッド デバイス テクノロジー インク 71V25761S166PFG8 対 IDT71V25761S166PFI8
71V25761S166PFGI
記憶力
キャッシュ SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQFP-100 インテグレテッド デバイス テクノロジー インク 71V25761S166PFG8 対 71V25761S166PFGI
IDT71V25761S166PF
記憶力
キャッシュ SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 インテグレテッド デバイス テクノロジー インク 71V25761S166PFG8 対 IDT71V25761S166PF
71V25761S166PFG
記憶力
TQFP-100,トレイ インテグレテッド デバイス テクノロジー インク 71V25761S166PFG8 対 71V25761S166PFG
71V25761S166PF8
記憶力
キャッシュ SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 インテグレテッド デバイス テクノロジー インク 71V25761S166PFG8 対 71V25761S166PF8
IDT71V25761S166PFI
記憶力
キャッシュ SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 インテグレテッド デバイス テクノロジー インク 71V25761S166PFG8 対 IDT71V25761S166PFI

記述

SRAM - 同期メモリIC 4.5Mb (128K x 36) パラレル 166MHz 3.5ns 100-TQFP (14x20)
SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V パイプラインンバースト SRAM
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