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3 年
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| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | ダラス・セミコンダクターズ |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | DS1220AD |
| パッケージ | トューブ |
| マウントスタイル | 穴を抜ける |
| パッケージケース | 24DIPモジュール (0.600" 15.24mm) |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 4.5V~5.5V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 24 EDIP |
| 記憶容量 | 16K (2K x 8) |
| メモリタイプ | NVSRAM (非揮発性 SRAM) |
| スピード | 100ns |
| アクセス時間 | 100 ns |
| フォーマットメモリ | RAM |
| 最大動作温度 | + 85C |
| 動作温度範囲 | - 40°C |
| 稼働供給電流 | 85 mA |
| インターフェースタイプ | パラレル |
| 組織 | 2k × 8 |
| パート#アリアス | 90-1220A+D1I DS1220AD |
| データバスの幅 | 8ビット |
| 供給電圧最大 | 5.5V |
| 供給電圧-分 | 4.5V |
| パッケージケース | EDIP-24 |
| 製造者 パーツ# | 記述 | 製造者 | 比較する |
| DS1220Y-100 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール, 2KX8, 100ns, CMOS, PDIP24, 0.720 INCH, 拡張, DIP-24 | ダラス・セミコンダクター | DS1220AD-100IND+ と DS1220Y-100 |
| DS1220AB-100IND 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール,2KX8,100ns,CMOS,0.720 INCH,プラスティック,DIP-24 | マキシム 統合製品 | DS1220AD-100IND+ と DS1220AB-100IND |
| DS1220AD-100 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール, 2KX8, 100ns, CMOS, PDIP24, 0.720 INCH, 拡張, DIP-24 | ダラス・セミコンダクター | DS1220AD-100IND+ と DS1220AD-100 |
| DS1220Y-100IND 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール,2KX8,100ns,CMOS,0.720 INCH,DIP-24 | マキシム 統合製品 | DS1220AD-100IND+ と DS1220Y-100IND |
| DS1220AD-100IND 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール,2KX8,100ns,CMOS,0.720 INCH,プラスティック,DIP-24 | マキシム 統合製品 | DS1220AD-100IND+ と DS1220AD-100IND |
| DS1220AB-100+ 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール, 2KX8, 100ns, CMOS, PDMA24, 0.720 INCH, ROHS 適合, プラスチック, DIP-24 | マキシム 統合製品 | DS1220AD-100IND+ と DS1220AB-100+ |
| DS1220AB-100IND+ 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール, 2KX8, 100ns, CMOS, PDMA24, 0.720 INCH, ROHS 適合, プラスチック, DIP-24 | マキシム 統合製品 | DS1220AD-100IND+ vs DS1220AB-100IND+ |
| DS1220Y-100+ 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール,2KX8,100ns,CMOS,0.720 INCH,ROHSコンパイル,DIP-24 | マキシム 統合製品 | DS1220AD-100IND+ vs DS1220Y-100+ |
| DS1220Y-100IND+ 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール,2KX8,100ns,CMOS,0.720 INCH,ROHSコンパイル,DIP-24 | マキシム 統合製品 | DS1220AD-100IND+ vs DS1220Y-100IND+ |
| DS1220AB-100 記憶力 |
2KX8 非揮発性 SRAM モジュール, 100ns, DMA24, 0.720 INCH,プラスティック,DIP-24 | ロチェスター・エレクトロニクス | DS1220AD-100IND+ と DS1220AB-100 |