Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

サンフアン・エレクトロニクス (香港) 株式会社

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IS49RL18320-093BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA ISSI 統合シリコンソリューション株式会社

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IS49RL18320-093BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA ISSI 統合シリコンソリューション株式会社

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モデル番号 :IS49RL18320-093BL
最低注文量 :1
支払条件 :T/T
供給能力 :ストック
配達時間 :3~5 営業日
パッケージの詳細 :アンチステティックバッグと紙箱
記憶タイプ :揮発
記憶フォーマット :ドラム
テクノロジー :ドラム
記憶容量 :576Mbit
記憶構成 :32M × 18
記憶インターフェイス :パラレル
クロック周波数 :1.066 GHz
周期にタイムの単語、ページを書きなさい :-
アクセス時間 :10 ns
電圧 - 供給 :1.28V ~ 1.42V
動作温度 :0°C~70°C (TA)
マウントタイプ :表面マウント
パッケージ/ケース :168-LBGA
供給者のデバイスパッケージ :168-FBGA (13.5×13.5)
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製品詳細

■ 特徴

1シャミット・トリガー・サーキット
2高い感度 (E V:MAX. 35rx 温度=25 ̊C)
3. 稼働電源電圧の幅広い
(VCC:4.5から17V)
4. LSTTLとTTL互換性のある出力
5. 低レベル出力 (IS485)
照明下での高レベルの出力 (IS486)
6コンパクトなパッケージ

■ アプリケーション

1. フロッピーディスクドライブユニット
2複製機,印刷機,ファックス機
3ビデオレコーダー,カセットデック
4自動自動販売機

仕様

属性 属性値
製造者 ISSI
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ -
パッケージ トレー
パッケージケース 168-LBGA
動作温度 0°C~70°C (TA)
インターフェース 共同入出
電圧供給 1.28V ~ 1.42V
供給者 デバイス パッケージ 168-FC(LF)BGA (13.5×13.5)
記憶容量 576M (32M x 18)
メモリタイプ RLDRAM 3
スピード 0.93ns
フォーマットメモリ RAM
機能的に互換性のある部品形式 パッケージ 機能互換性のある部品
製造者 パーツ# 記述 製造者 比較する
IS49RL18320-125EBL
記憶力
DDR DRAM, 32MX18, 10ns, CMOS, PBGA168,リードフリー, FBGA-168 統合シリコンソリューション株式会社 IS49RL18320-093BL 対 IS49RL18320-125EBL
IS49RL18320-093EBL
記憶力
DDR DRAM, 32MX18, 8ns, CMOS, PBGA168,リードフリー, FBGA-168 統合シリコンソリューション株式会社 IS49RL18320-093BL 対 IS49RL18320-093EBL
IS49RL18320-125BL
記憶力
DDR DRAM, 32MX18, 12ns, CMOS, PBGA168,リードフリー, FBGA-168 統合シリコンソリューション株式会社 IS49RL18320-093BL 対 IS49RL18320-125BL
IS49RL18320-107EBL
記憶力
DDR DRAM, 32MX18, 8ns, CMOS, PBGA168,リードフリー, FBGA-168 統合シリコンソリューション株式会社 IS49RL18320-093BL 対 IS49RL18320-107EBL
IS49RL18320-107BLI 試験終了後
記憶力
DDR DRAM, 32MX18, 10ns, CMOS, PBGA168,リードフリー, FBGA-168 統合シリコンソリューション株式会社 IS49RL18320-093BL 対 IS49RL18320-107BLI
IS49RL18320-093EBLI について
記憶力
DDR DRAM, 32MX18, 8ns, CMOS, PBGA168,リードフリー, FBGA-168 統合シリコンソリューション株式会社 IS49RL18320-093BL 対 IS49RL18320-093EBLI
IS49RL18320-107BL
記憶力
DDR DRAM, 32MX18, 10ns, CMOS, PBGA168,リードフリー, FBGA-168 統合シリコンソリューション株式会社 IS49RL18320-093BL 対 IS49RL18320-107BL
IS49RL18320-125EBLI 試験終了いたしました
記憶力
DDR DRAM, 32MX18, 10ns, CMOS, PBGA168,リードフリー, FBGA-168 統合シリコンソリューション株式会社 IS49RL18320-093BL 対 IS49RL18320-125EBLI
IS49RL18320-107EBLI 試験終了いたしました
記憶力
DDR DRAM, 32MX18, 8ns, CMOS, PBGA168,リードフリー, FBGA-168 統合シリコンソリューション株式会社 IS49RL18320-093BL 対 IS49RL18320-107EBLI
IS49RL18320-093BLI 試験終了いたしました
記憶力
DDR DRAM, 32MX18, 10ns, CMOS, PBGA168,リードフリー, FBGA-168 統合シリコンソリューション株式会社 IS49RL18320-093BL 対 IS49RL18320-093BLI

記述

DRAMメモリ IC 576Mb (32M x 18) パラレル 1.066GHz 10ns 168-FC ((LF) BGA (13.5x13.5)
DRAMチップ RLDRAM3 576Mbit 32Mx18 1.35V 168-ピン FBGA
DRAM RLDRAM3 メモリー, 576M 共通 I/O, 1066Mhz
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