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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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MT28F004B3VG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I マイクロンテクノロジー株式会社

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モデル番号 :MT28F004B3VG-8B

最低注文量 :1

支払条件 :T/T

供給能力 :ストック

配達時間 :3~5 営業日

パッケージの詳細 :アンチステティックバッグと紙箱

記憶タイプ :不揮発性

記憶フォーマット :フラッシュ

テクノロジー :フラッシュ-

記憶容量 :4Mbit

記憶構成 :512K X 8

記憶インターフェイス :パラレル

クロック周波数 :-

周期にタイムの単語、ページを書きなさい :80ns

アクセス時間 :80 ns

電圧 - 供給 :3V~3.6V

動作温度 :0°C~70°C (TA)

マウントタイプ :表面マウント

パッケージ/ケース :40-TFSOP (0.724", 18.40mm 幅)

供給者のデバイスパッケージ :40-TSOP I

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製品詳細

一般的な説明

MT28F004B3 (x8) と MT28F400B3 (x16/x8) は,電動的にブロック消去可能な (フラッシュ) 非揮発性,プログラム可能なメモリデバイスで,4つを含む.194304 ビットは 262,144 文字 (16 ビット) または 524,288 バイト (8 ビット) として組織されています.デバイスの書き込みまたは削除は 3.3Vまたは 5V VPP 電圧で行われ,すべての操作は 3 で行われます.3V VCCプロセス技術の進歩により,5V VPPはアプリケーションおよび生産プログラミングに最適である.これらのデバイスはMicronの先進的な0.18μm CMOS浮動ゲートプロセスで製造されている.
MT28F004B3 と MT28F400B3 は 7 つの別々に消去可能なブロックに組織されています.デバイスにはハードウェアで保護されたブートブロックがあります. ブートブロックを書き込むか消すには,通常の書き込みまたは削除シーケンスを実行することに加えて,RP#ピンに超電圧を適用するか,WP# HIGHをドライブする必要があります.このブロックは,低レベルのシステム復元で実装されたコードを保存するために使用できます.残りのブロックは密度によって異なりますし,追加的なセキュリティ対策なしで書き込み,消去されます.

特徴

• 7つの消去ブロック:
16KB/8Kワードのブートブロック (保護)
2つの 8KB/4K 単語のパラメータブロック
4つのメインメモリーブロック
スマート3技術 (B3):
3.3V ±0.3V VCC
3.3V ±0.3V VPPアプリケーションプログラミング
5V ±10% VPP アプリケーション/生産プログラミング1
・ 0.3μm スマート 3 デバイスに対応する
• 高度な0.18μm CMOS浮遊ゲートプロセス
• アドレスアクセス時間: 80ns
• 100,000 回のERASE サイクル
• 業界標準のピノート
•入力と出力は完全にTTL対応です
• 自動書き込み消去アルゴリズム
• 2 サイクルの WRITE/ERASE シーケンス
• バイトや言葉の幅を広める読み書き
(MT28F400B3, 256K×16/512K×8)
• バイト幅の読み書きのみ
(MT28F004B3, 512K × 8)
•TSOPとSOPのパッケージオプション

仕様

属性	属性値
製造者	マイクロン・テクノロジー株式会社
製品カテゴリー	メモリIC
シリーズ	-
パッケージ	トレー
パッケージケース	40-TFSOP (0.724", 18.40mm 幅)
動作温度	0°C~70°C (TA)
インターフェース	パラレル
電圧供給	3V~3.6V
供給者デバイスパッケージ	40-TSOP I
記憶容量	4M (512K x 8)
メモリタイプ	FLASH - NOR
スピード	80n
フォーマットメモリ	フラッシュ

記述

FLASH - NOR メモリ IC 4Mb (512K x 8) パラレル 80ns 40-TSOP I

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