製品カテゴリ

データ収集IC

[7]

企業との接触

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

ウェブサイトにアクセスします

シティ：shenzhen

国/地域：china

連絡窓口：MissZhao

表示連絡先の詳細

企業との接触

MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA マイクロンテクノロジー株式会社

最新の価格を尋ねる

モデル番号 :MT40A1G4RH-083E:B

最低注文量 :1

支払条件 :T/T

供給能力 :ストック

配達時間 :3~5 営業日

パッケージの詳細 :アンチステティックバッグと紙箱

記憶タイプ :揮発

記憶フォーマット :ドラム

テクノロジー :SDRAM - DDR4

記憶容量 :4Gbit

記憶構成 :1G × 4

記憶インターフェイス :パラレル

クロック周波数 :1.2 GHz

周期にタイムの単語、ページを書きなさい :-

アクセス時間 :-

電圧 - 供給 :1.14V | 1.26V

動作温度 :0°C | 95°C （TC）

マウントタイプ :表面マウント

パッケージ/ケース :78-TFBGA

供給者のデバイスパッケージ :78-FBGA （9x10.5）

企業との接触

Add to Cart

製品の説明を表示

製品詳細

記述

この1500ワットのトランジエント電圧抑制器は大きなパッケージでしか見られない電力処理能力を提供しますIEC61000-4-5の低い電波レベルで見られるように,インダクティブスイッチ環境やインダクティブセカンド雷効果からのトランジエントから保護するために最も頻繁に使用されます.反応時間が非常に速いため,ESDやEFTからの保護にも有効です.Powermite® パッケージの特徴は,組み立て中に溶接流の捕まりの可能性を排除する完全な金属底が含まれます熱吸収器として機能する独特のロックタブも用意しています寄生性誘導は,高速上昇時のトランジエントの間に電圧過剰を減らすために最小限に抑えられます..

特徴

非常低プロフィール表面マウントパッケージ (1.1mm)
• 熱槽をロックするタブ
• 自動挿入装置と互換性
• 完全の金属の底から流体の閉じ込められていることはなくなる
• 5 ボルトから 170 ボルトの電圧範囲
• 一方向または二方向の両方で利用可能 (二方向のC後置き)

最大評価値

• 動作温度: -55°C から +150°C
• 保存温度: -55°C から +150°C
・ 1500 ワットのピークパルスパワー (10 / 1000 μsec)
前向きの電流:8.3msで200Amp (両方向を除く)
• 繰り返しの急増率 (課税因数): 0.01%
• 熱抵抗: 2.5°C/ワット接続からタブ 130°C/ワット接続から推奨されたフットプリントの環境
鉛と設置温度: 10秒間260°C

申請 / 利益

• 二次電撃臨時保護
• インダクティブスイッチング臨時保護
• 足跡が小さく
• 極小の電圧過電のために非常に低い寄生性誘導力
• IEC61000-4-2 と IEC61000-4-4 に適合し,ESD と EFT 保護,および IEC61000-4-5 に適合し,ここで定義された電圧上昇レベル

仕様

属性	属性値
製造者	マイクロン・テクノロジー株式会社
製品カテゴリー	メモリIC
シリーズ	-
パッケージ	トレー
パッケージケース	78-TFBGA
動作温度	0°C~95°C (TC)
インターフェース	パラレル
電圧供給	1.14V ~ 1.26V
供給者デバイスパッケージ	78-FBGA (9x10.5)
記憶容量	4G (1G × 4)
メモリタイプ	DDR4 SDRAM
スピード	18ns
フォーマットメモリ	RAM

記述

SDRAM - DDR4 メモリIC 4Gb (1G x 4) パラレル 1.2GHz 78-FBGA (9x10.5)

DRAMチップ DDR4 SDRAM 4Gbit 1Gx4 1.2V 78ピン FBGA

お問い合わせカート 0