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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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MT46V16M16CY-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA マイクロンテクノロジー株式会社

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モデル番号 :MT46V16M16CY-5B IT:M

最低注文量 :1

支払条件 :T/T

供給能力 :ストック

配達時間 :3~5 営業日

パッケージの詳細 :アンチステティックバッグと紙箱

記憶タイプ :揮発

記憶フォーマット :ドラム

テクノロジー :SDRAM - DDR

記憶容量 :256Mbit

記憶構成 :16M x 16

記憶インターフェイス :パラレル

クロック周波数 :200 MHz

周期にタイムの単語、ページを書きなさい :15ns

アクセス時間 :700 ps

電圧 - 供給 :2.5V～2.7V

動作温度 :-40°C ~ 85°C (TA)

マウントタイプ :表面マウント

パッケージ/ケース :60-TFBGA

供給者のデバイスパッケージ :60FBGA (8x12.5)

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製品詳細

一般的な説明

DDR333 SDRAMは,高速 CMOS,ダイナミックランダムアクセスメモリで,最大データ転送速度は 333Mb/s/p で 167 MHz (tCK=6ns) の周波数で動作する.DDR333は,JEDEC標準SSTL_2インターフェースと2n-prefetchアーキテクチャを使用し続けています..

特徴

• 167 MHz 時計 333 Mb/s/p データレート
・VDD= +2.5V ±0.2V,VDDQ= +2.5V ±0.2V
• 双方向データストロブ (DQS) がデータと共に送信/受信,すなわちソース同期データキャプチャ (x16はバイトあたり2 - 1つ)
• 内部,パイプライン付きのダブルデータレート (DDR) アーキテクチャ; 時計サイクルあたり2つのデータアクセス
• 差点時計入力 (CK と CK#)
• ポジティブな CK エッジごとに入力されたコマンド
• DQS の端は READ のデータと並べられ,中央は WRITE のデータと並べられる
• DQとDQSの移行をCKと調整するDLL
• 4つの内部銀行が同時に機能する
書き込みデータをマスクするデータマスク (DM) (x16はバイトあたり2 - 1つ)
• プログラムできる爆発長さ: 2,4,または 8
• 同期自動プレチャージオプションがサポートされています
• オートリフレッシュと自己リフレッシュモード
• FBGA パッケージが利用可能
■ 2.5V I/O (SSTL_2対応)
•tRASロックアウト (tRAP =tRCD)
• DDR200 と DDR266 と後方対応

仕様

属性	属性値
製造者	マイクロン・テクノロジー株式会社
製品カテゴリー	メモリIC
シリーズ	-
パッケージ	トレイ代替パッケージ
パッケージケース	60TFBGA
動作温度	-40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース	パラレル
電圧供給	2.5V~2.7V
供給者デバイスパッケージ	60FBGA (8x12.5)
記憶容量	256M (16M x 16)
メモリタイプ	DDR SDRAM
スピード	5ns
フォーマットメモリ	RAM

記述

SDRAM - DDRメモリIC 256Mb (16M x 16) パラレル200MHz 700ps 60-FBGA (8x12.5)

DRAMチップ DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.6V 60ピン FBGA

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