Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

サンフアン・エレクトロニクス (香港) 株式会社

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MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA マイクロンテクノロジー株式会社

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MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA マイクロンテクノロジー株式会社

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モデル番号 :MT47H128M4CF-25E:G
最低注文量 :1
支払条件 :T/T
供給能力 :ストック
配達時間 :3~5 営業日
パッケージの詳細 :アンチステティックバッグと紙箱
記憶タイプ :揮発
記憶フォーマット :ドラム
テクノロジー :SDRAM - DDR2
記憶容量 :512Mbit
記憶構成 :128M × 4
記憶インターフェイス :パラレル
クロック周波数 :400 MHz
周期にタイムの単語、ページを書きなさい :15ns
アクセス時間 :400 ps
電圧 - 供給 :1.7V~1.9V
動作温度 :0°C | 85°C (TC)
マウントタイプ :表面マウント
パッケージ/ケース :60-TFBGA
供給者のデバイスパッケージ :60-FBGA (8x10)
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製品詳細

DDR2 SDRAM

MT47H256M4 32 メガ × 4 × 8 バンク
MT47H128M8 16 メグ × 8 × 8 банки
MT47H64M16 8 メグ × 16 × 8 банки

特徴

VDD = 1.8V ±0.1V,VDDQ = 1.8V ±0.1V
JEDEC標準 1.8V I/O (SSTL_18対応)
差分データストロブ (DQS,DQS#) オプション
• 4nビットプリフェッチアーキテクチャ
• x8 のための複製出力ストロブ (RDQS) オプション
• DQとDQSの移行をCKと調整するDLL
• 8つの内部バンクが同時に運用される
プログラム可能なCAS遅延 (CL)
• CAS 添加物 レイテンシー (AL)
• WRITE レイテンシー = READ レイテンシー - 1 tCK
• 選択可能なバースト長 (BL): 4 か 8
• 調整可能なデータ出力駆動強度
• 64ms, 8192サイクルリフレッシュ
• 死亡時に終了 (ODT)
■工業温度 (IT) オプション
自動車温度 (AT) オプション
• RoHS 準拠
• JEDECクロックジッター仕様に対応

仕様

属性 属性値
製造者 マイクロン・テクノロジー株式会社
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ -
パッケージ トレー
パッケージケース 60TFBGA
動作温度 0°C ~ 85°C (TC)
インターフェース パラレル
電圧供給 1.7V~1.9V
供給者 デバイス パッケージ 60FBGA (8x10)
記憶容量 512M (128Mx4)
メモリタイプ DDR2 SDRAM
スピード 2.5ns
フォーマットメモリ RAM

記述

SDRAM - DDR2メモリIC 512Mb (128M x 4) パラレル 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
DRAMチップ DDR2 SDRAM 512Mbit 128Mx4 1.8V 60ピン FBGA
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