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3 年
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| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | エヴァースピン |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | MR2A16A |
| パッケージ | トレイ 代替パッケージ |
| マウントスタイル | SMD/SMT |
| パッケージケース | 44-TSOP (0.400", 10.16mm 幅) |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 3V~3.6V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 44-TSOP2 (10.2x18.4) |
| 記憶容量 | 4M (256K x 16) |
| メモリタイプ | MRAM (磁気抵抗型RAM) |
| スピード | 35ns |
| アクセス時間 | 35 ns |
| フォーマットメモリ | RAM |
| 最大動作温度 | + 85C |
| 動作温度範囲 | - 40°C |
| 稼働供給電流 | 105 mA |
| インターフェースタイプ | パラレル |
| 組織 | 256k x 16 |
| データバスの幅 | 16ビット |
| 供給電圧最大 | 3.6V |
| 供給電圧-分 | 3V |
| パッケージケース | TSOP-44 |
| 製造者 パーツ# | 記述 | 製造者 | 比較する |
| MR2A16AVYS35 記憶力 |
メモリ回路,256KX16,CMOS,PDSO44,0.400 INCH,ROHSコンパイル,プラスティック,TSOP2-44 | エヴァースピン・テクノロジーズ | MR2A16ACYS35 対 MR2A16AVYS35 |
| MR1A16AVYS35 記憶力 |
メモリー回路, 128KX16, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS コンプライアント,プラスティック,TSOP2-44 | エヴァースピン・テクノロジーズ | MR2A16ACYS35 対 MR1A16AVYS35 |
| MR2A16AYS35R 記憶力 |
メモリ回路,256KX16,CMOS,PDSO44,0.400 INCH,ROHSコンパイル,プラスティック,TSOP2-44 | エヴァースピン・テクノロジーズ | MR2A16ACYS35 対 MR2A16AYS35R |
| MR1A16AVYS35R 記憶力 |
メモリー回路, 128KX16, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS コンプライアント,プラスティック,TSOP2-44 | エヴァースピン・テクノロジーズ | MR2A16ACYS35 対 MR1A16AVYS35R |
| MR1A16AYS35 記憶力 |
メモリー回路, 128KX16, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS コンプライアント,プラスティック,TSOP2-44 | エヴァースピン・テクノロジーズ | MR2A16ACYS35 対 MR1A16AYS35 |
| MR2A16AYS35 記憶力 |
メモリ回路,256KX16,CMOS,PDSO44,0.400 INCH,ROHSコンパイル,プラスティック,TSOP2-44 | エヴァースピン・テクノロジーズ | MR2A16ACYS35 対 MR2A16AYS35 |
| MR2A16ACYS35R 記憶力 |
メモリ回路,256KX16,CMOS,PDSO44,0.400 INCH,ROHSコンパイル,プラスティック,TSOP2-44 | エヴァースピン・テクノロジーズ | MR2A16ACYS35対MR2A16ACYS35R |
| MR2A16AVYS35R 記憶力 |
メモリ回路,256KX16,CMOS,PDSO44,0.400 INCH,ROHSコンパイル,プラスティック,TSOP2-44 | エヴァースピン・テクノロジーズ | MR2A16ACYS35 対 MR2A16AVYS35R |
| MR1A16ACYS35R 記憶力 |
メモリー回路, 128KX16, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS コンプライアント,プラスティック,TSOP2-44 | エヴァースピン・テクノロジーズ | MR2A16ACYS35 対 MR1A16ACYS35R |