Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

サンフアン・エレクトロニクス (香港) 株式会社

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SST25VF020B-80-4I-SAE-T IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOICマイクロチップ技術

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SST25VF020B-80-4I-SAE-T IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOICマイクロチップ技術

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モデル番号 :SST25VF020B-80-4I-SAE-T
最低注文量 :1
支払条件 :T/T
供給能力 :ストック
配達時間 :3~5 営業日
パッケージの詳細 :アンチステティックバッグと紙箱
記憶タイプ :不揮発性
記憶フォーマット :フラッシュ
テクノロジー :フラッシュ
記憶容量 :2Mbit
記憶構成 :256K X 8
記憶インターフェイス :SPI
クロック周波数 :80 MHz
周期にタイムの単語、ページを書きなさい :10µs
アクセス時間 :-
電圧 - 供給 :2.7V~3.6V
動作温度 :-40°C ~ 85°C (TA)
マウントタイプ :表面マウント
パッケージ/ケース :8-SOIC (0.154",3.90mm 幅)
供給者のデバイスパッケージ :8-SOIC
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製品詳細

製品説明

25シリーズのSerial Flashファミリーは4ワイヤのSPI互換インターフェースを搭載しており,低ピン数パック年齢を可能にし,ボードスペースを少なくし,最終的にはシステムコストを削減する.SST25VF020Bデバイスは,動作頻度が向上し,消費電力がさらに低下することで強化されています. SST25VF020B SPIシリアルフラッシュメモリは,SST独自の高性能CMOSスーパーフラッシュ技術で製造されています.スプリットゲートセル設計と厚酸化トンネル注射器は,代替方法と比較してより高い信頼性と製造可能性を達成.

特徴:

• 単電圧読み書き操作
¥2.7〜3.6V
• シリアルインターフェースアーキテクチャー
SPI互換性:モード0とモード3
• 高速 時計 周波数
80MHzまで
• 優れた 信頼性
耐久性: 10万 回 (典型)
〇 100 年以上のデータ保存
• 低電力消費:
活性読み込み電流: 10 mA (典型)
待機電流: 5 μA (典型)
• 柔軟 な 消し去り 能力
単一の4KByte部門
単一の 32 KByte オーバーレイブロック
統一64 KByteのオーバーレイブロック
• 迅速 消し バイト プログラム:
チップ消去時間: 35 ms (典型)
セクター/ブロック消去時間: 18 ms (典型)
バイトプログラム時間: 7 μs (典型)
• 自動アドレス増量 (AAI) プログラミング
バイト・プログラム操作よりもチップのプログラミング時間を減らす
• 書き込み の 終わり を 検知 する
ステータスレジスタのBUSYビットに投票するソフトウェア
AAIモードでSOピンでBUSY状態を読み取ります.
ピンを押して (HOLD#)
記憶にシリアルシーケンスを一時停止する
デバイスの選択を中止することなく
• 書き込み保護 (WP#)
状態登録のロックダウン機能を有効/無効にする
• ソフトウェア 書き込み 保護
状態登録にブロック保護ビットで保護を書き込む
• 温度 範囲
商業用: 0°Cから+70°C
工業用: -40°Cから+85°C
• 提供 可能な パッケージ
8鉛のSOIC (150ml)
8コンタクトのWSON (6mm x 5mm)
• すべての非Pb (鉛のない) 装置は RoHS に準拠しています

仕様

属性 属性値
製造者 マイクロチップ技術
製品カテゴリー ICチップ
製造者 マイクロチップ
製品カテゴリ フラッシュメモリ
RoHS 詳細
マウントスタイル SMD/SMT
パッケージケース SOIC-8
メモリサイズ 2 Mbit
インターフェースタイプ SPI
メモリタイプ NOR
スピード 80 MHz
供給電圧最大 3.6V
供給電圧-分 2.7V
供給電流最大 10mA
動作温度範囲 -40°Cから+85°C
シリーズ SST25VF
パッケージ リール
建築 セクター
ブランド マイクロチップ技術
データバスの幅 8ビット
最大 時計周波数 80 MHz
組織 256k x 8
タイムタイプ シンクロン
単位重量 0.019048オンス

機能的に互換性のある部品

形式 パッケージ 機能互換性のある部品

製造者 パーツ# 記述 製造者 比較する
SST25LF020A-33-4I-SAE
記憶力
2M X 1 FLASH 3V PROM,PDSO8,0.150 INCH,4.90 X 6 MM,ROHSコンパイル,MS-012AA,SOIC-8 マイクロチップ・テクノロジー SST25VF020B-80-4I-SAE-T対SST25LF020A-33-4I-SAE
AT45DB021E-SHN-T
記憶力
2MX1,PDSO8,SOIC-8のフラッシュ アデストー・テクノロジーズ・コーポレーション SST25VF020B-80-4I-SAE-T vs AT45DB021E-SHN-T
SST25VF020-20-4C-SAE
記憶力
2M X 1 FLASH 2.7V PROM,PDSO8,0.150 INCH,4.90 X 6MM,ROHSコンパイル,MS-012AA,SOIC-8 マイクロチップ・テクノロジー SST25VF020B-80-4I-SAE-T対SST25VF020-20-4C-SAE
AT45DB021E-SSHN-B
記憶力
2MX1,PDSO8,SOIC-8のフラッシュ アデストー・テクノロジーズ・コーポレーション SST25VF020B-80-4I-SAE-T 対 AT45DB021E-SSHN-B
AT45DB021E-SSHN-T
記憶力
2MX1,PDSO8,SOIC-8のフラッシュ アデストー・テクノロジーズ・コーポレーション SST25VF020B-80-4I-SAE-T vs AT45DB021E-SSHN-T
MX25L2006EM1I-12G
記憶力
Flash, 1MX2, PDSO8, 0.150 インチ,ハロゲンフリーおよびROHSコンパイル,MS-012,SOP-8 マクロニックス・インターナショナル・コー・株式会社 SST25VF020B-80-4I-SAE-T 対 MX25L2006EM1I-12G
AT45DB021E-SHN-B
記憶力
2MX1,PDSO8,SOIC-8のフラッシュ アデストー・テクノロジーズ・コーポレーション SST25VF020B-80-4I-SAE-T 対 AT45DB021E-SHN-B
AT45DB021E-SSHN2B-T
記憶力
2MX1,PDSO8,0.150インチ,グリーン,プラスティック,MS-012AA,SOIC-8 アデストー・テクノロジーズ・コーポレーション SST25VF020B-80-4I-SAE-T vs AT45DB021E-SSHN2B-T
M25P20-VMN6TPB
記憶力
フラッシュ,256KX8,PDSO8,0.150インチ,ROHSコンパイル,プラスチック,SOP-8 マイクロン・テクノロジー SST25VF020B-80-4I-SAE-T 対 M25P20-VMN6TPB

記述

フラッシュメモリIC 2Mb (256K x 8) SPI 80MHz 8-SOIC
NORフラッシュ シリアルSPI 3.3V 2Mビット 256K x 8 6ns 8-ピン SOIC T/R
フラッシュメモリ 2.7V から 3.6V 2Mbit SPI シリアル フラッシュ
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