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属性 | 属性値 |
---|---|
製造者 | マイクロチップ技術 |
製品カテゴリー | ICチップ |
製造者 | マイクロチップ |
製品カテゴリ | フラッシュメモリ |
RoHS | 詳細 |
マウントスタイル | SMD/SMT |
パッケージケース | SOIC-8 |
メモリサイズ | 2 Mbit |
インターフェースタイプ | SPI |
メモリタイプ | NOR |
スピード | 80 MHz |
供給電圧最大 | 3.6V |
供給電圧-分 | 2.7V |
供給電流最大 | 10mA |
動作温度範囲 | -40°Cから+85°C |
シリーズ | SST25VF |
パッケージ | リール |
建築 | セクター |
ブランド | マイクロチップ技術 |
データバスの幅 | 8ビット |
最大 時計周波数 | 80 MHz |
組織 | 256k x 8 |
タイムタイプ | シンクロン |
単位重量 | 0.019048オンス |
製造者 パーツ# | 記述 | 製造者 | 比較する |
SST25LF020A-33-4I-SAE 記憶力 |
2M X 1 FLASH 3V PROM,PDSO8,0.150 INCH,4.90 X 6 MM,ROHSコンパイル,MS-012AA,SOIC-8 | マイクロチップ・テクノロジー | SST25VF020B-80-4I-SAE-T対SST25LF020A-33-4I-SAE |
AT45DB021E-SHN-T 記憶力 |
2MX1,PDSO8,SOIC-8のフラッシュ | アデストー・テクノロジーズ・コーポレーション | SST25VF020B-80-4I-SAE-T vs AT45DB021E-SHN-T |
SST25VF020-20-4C-SAE 記憶力 |
2M X 1 FLASH 2.7V PROM,PDSO8,0.150 INCH,4.90 X 6MM,ROHSコンパイル,MS-012AA,SOIC-8 | マイクロチップ・テクノロジー | SST25VF020B-80-4I-SAE-T対SST25VF020-20-4C-SAE |
AT45DB021E-SSHN-B 記憶力 |
2MX1,PDSO8,SOIC-8のフラッシュ | アデストー・テクノロジーズ・コーポレーション | SST25VF020B-80-4I-SAE-T 対 AT45DB021E-SSHN-B |
AT45DB021E-SSHN-T 記憶力 |
2MX1,PDSO8,SOIC-8のフラッシュ | アデストー・テクノロジーズ・コーポレーション | SST25VF020B-80-4I-SAE-T vs AT45DB021E-SSHN-T |
MX25L2006EM1I-12G 記憶力 |
Flash, 1MX2, PDSO8, 0.150 インチ,ハロゲンフリーおよびROHSコンパイル,MS-012,SOP-8 | マクロニックス・インターナショナル・コー・株式会社 | SST25VF020B-80-4I-SAE-T 対 MX25L2006EM1I-12G |
AT45DB021E-SHN-B 記憶力 |
2MX1,PDSO8,SOIC-8のフラッシュ | アデストー・テクノロジーズ・コーポレーション | SST25VF020B-80-4I-SAE-T 対 AT45DB021E-SHN-B |
AT45DB021E-SSHN2B-T 記憶力 |
2MX1,PDSO8,0.150インチ,グリーン,プラスティック,MS-012AA,SOIC-8 | アデストー・テクノロジーズ・コーポレーション | SST25VF020B-80-4I-SAE-T vs AT45DB021E-SSHN2B-T |
M25P20-VMN6TPB 記憶力 |
フラッシュ,256KX8,PDSO8,0.150インチ,ROHSコンパイル,プラスチック,SOP-8 | マイクロン・テクノロジー | SST25VF020B-80-4I-SAE-T 対 M25P20-VMN6TPB |