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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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CY7C1464AV33-167BGI IC SRAM 36MBIT PAR 209FBGAサイプレス半導体株式会社

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モデル番号 :CY7C1464AV33-167BGI

最低注文量 :1

支払条件 :T/T

供給能力 :ストック

配達時間 :3~5 営業日

パッケージの詳細 :アンチステティックバッグと紙箱

記憶タイプ :揮発

記憶フォーマット :SRAM

テクノロジー :SRAM -、SDR同期

記憶容量 :36Mbit

記憶構成 :512K x 72

記憶インターフェイス :パラレル

クロック周波数 :167のMHz

周期にタイムの単語、ページを書きなさい :-

アクセス時間 :3.4ns

電圧 - 供給 :3.135V | 3.6V

動作温度 :-40°C ~ 85°C (TA)

マウントタイプ :表面マウント

パッケージ/ケース :209-BGA

供給者のデバイスパッケージ :209-FBGA (14x22)

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製品詳細

機能説明

CY7C1460AV33/CY7C1462AV33/CY7C1464AV33は,それぞれ 3.3V, 1M x 36/2M x 18/512K x 72 シナクロンパイプライン式バースト SRAMで,No Bus LatencyTM (NoBLTM) ロジックを使用する.待機状態なしで無制限の真のバックツーバック読み書き操作をサポートするように設計されていますCY7C1460AV33/CY7C1462AV33/CY7C1464AV33は,各クロックサイクルでデータを転送する連続的な読み書き操作を可能にするために必要な高度な (NoBL) ロジックで装備されています.この機能は,頻繁な書き/読む移行を必要とするシステムにおけるデータのスループットを劇的に改善しますCY7C1460AV33/CY7C1462AV33/CY7C1464AV33はピン互換性があり,機能的にはZBTデバイスと同等です.

特徴

• ZBTTM に対応し,機能的に同等である
• ゼロ待機状態で250MHzバス操作をサポート
利用可能な速度グレードは250,200および167MHz
• アシンクロンOEの使用の必要性を排除するための内部自律出力バッファ制御
• パイプラインでの運用のために完全登録 (入力と出力)
• バイト書き込み能力
● 3.3V 電源
● 3.3V/2.5V I/O 電源
• 速速に計測開始時間
◎2.6 ns (250MHzデバイス用)
• 動作を停止する時計有効 (CEN) ピン
• 同期自動タイム書き込み
• CY7C1460AV33,CY7C1462AV33 は,
JEDEC標準の鉛のない100ピンのTQFP,鉛のない
鉛のない165ボールのFBGAパッケージ CY7C1464AV33
鉛のない 209 ボール FBGA と鉛のない 209 ボール FBGA で利用可能
パッケージ
• IEEE 1149.1 JTAG対応の境界スキャン
爆発能力線形または交差式爆発順序
睡眠モードとストップクロックオプション

仕様

属性	属性値
製造者	サイパス半導体
製品カテゴリー	メモリIC
シリーズ	-
パッケージ	トレー
パッケージケース	209-BGA
動作温度	-40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース	パラレル
電圧供給	3.135V~3.6V
供給者デバイスパッケージ	209-FBGA (14x22)
記憶容量	36M (512K x 72)
メモリタイプ	SRAM - 同期
スピード	167MHz
フォーマットメモリ	RAM

記述

SRAM - 同期メモリIC 36Mb (512K x 72) 167MHz 3.4ns 209-FBGA (14x22) の並行

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