Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

サンフアン・エレクトロニクス (香港) 株式会社

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MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA マイクロンテクノロジー株式会社

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MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA マイクロンテクノロジー株式会社

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モデル番号 :MT41K256M8DA-125:K
最低注文量 :1
支払条件 :T/T
供給能力 :ストック
配達時間 :3~5 営業日
パッケージの詳細 :アンチステティックバッグと紙箱
記憶タイプ :揮発
記憶フォーマット :ドラム
テクノロジー :SDRAM - DDR3L
記憶容量 :2Gbit
記憶構成 :256M×8
記憶インターフェイス :パラレル
クロック周波数 :800 MHz
周期にタイムの単語、ページを書きなさい :-
アクセス時間 :13.75 ns
電圧 - 供給 :1.283V | 1.45V
動作温度 :0°C | 95°C (TC)
マウントタイプ :表面マウント
パッケージ/ケース :78-TFBGA
供給者のデバイスパッケージ :78-FBGA (8x10.5)
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製品詳細

[MCL]

ブロードバンド CW TWT LAB アンプ

レーダー,EMC,EWテストのために

MT4100 ブロードバンドアンプは,実用化済み MT4000 TWT アーキテクチャを活用しています.

モジュラーな設計で コンパクトで効率的なパッケージで MT4100は 卓越した信頼性を発揮します

特徴:

広範 な 診断 能力
先進的な熱設計
コンパクトサイズ
管付き冷却
静かな作戦

仕様

属性 属性値
製造者 マイクロン・テクノロジー株式会社
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ -
パッケージ トレイ 代替パッケージ
パッケージケース 78-TFBGA
動作温度 0°C~95°C (TC)
インターフェース パラレル
電圧供給 1.283V ~ 1.45V
供給者 デバイス パッケージ 78-FBGA (8x10.5)
記憶容量 2G (256M x 8)
メモリタイプ DDR3L SDRAM
スピード 800MHz
フォーマットメモリ RAM
Mfr マイクロン・テクノロジー株式会社
パッケージ トレー
商品の状況 アクティブ
メモリタイプ 揮発性
メモリ形式 DRAM
テクノロジー SDRAM - DDR3L
メモリサイズ 2Gb (256M x 8)
メモリインターフェース パラレル
時計周波数 800 MHz
書き込みサイクル タイム ワード ページ -
アクセス時間 13.75 ns
電圧供給 1.283V ~ 1.45V
マウントタイプ 表面マウント
パッケージケース 78-TFBGA
基本製品番号 MT41K256M8

機能的に互換性のある部品

形式 パッケージ 機能互換性のある部品

製造者 パーツ# 記述 製造者 比較する
H5TQ2G83CFR-H9C
記憶力
DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, ハロゲンフリーおよびROHSコンパイル, FBGA-78 SKハイニックス MT41K256M8DA-125:K 対 H5TQ2G83CFR-H9C
MT41K256M8DA-125IT:K
記憶力
DDR DRAM, 256MX8, CMOS, PBGA78, 8 X 10.50 MM,リードフリー, FBGA-78 マイクロン・テクノロジー MT41K256M8DA-125:K 対 MT41K256M8DA-125IT:K
H5TQ2G83FFR-PBC
記憶力
DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, FBGA-78 SKハイニックス MT41K256M8DA-125:K 対 H5TQ2G83FFR-PBC
H5TQ2G83CFR-PBC
記憶力
DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, ハロゲンフリーおよびROHSコンパイル, FBGA-78 SKハイニックス MT41K256M8DA-125:K 対 H5TQ2G83CFR-PBC
H5TC2G83CFR-PBA
記憶力
DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, ハロゲンフリーおよびROHSコンパイル, FBGA-78 SKハイニックス MT41K256M8DA-125:K 対 H5TC2G83CFR-PBA
MT41K256M8DA-125:M
記憶力
DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10.50 MM,リードフリー, FBGA-78 マイクロン・テクノロジー MT41K256M8DA-125:K 対 MT41K256M8DA-125:M
MT41K256M8DA-107:K
記憶力
DDR DRAM, 256MX8, 0.195ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10.50 MM, 1.20 MM HEIGHT,リードフリー, FBGA-78 マイクロン・テクノロジー MT41K256M8DA-125:K vs MT41K256M8DA-107:K
H5TQ2G83DFR-RDC
記憶力
DDR DRAM, 256MX8, 0.195ns, CMOS, PBGA78, ハロゲンフリーおよびROHSコンパイル, FBGA-78 SKハイニックス MT41K256M8DA-125:K 対 H5TQ2G83DFR-RDC
H5TQ2G83EFR-PBC
記憶力
DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, ハロゲンフリーおよびROHSコンパイル, FBGA-78 SKハイニックス MT41K256M8DA-125:K 対 H5TQ2G83EFR-PBC
H5TQ2G83DFR-PBC
記憶力
DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, ハロゲンフリーおよびROHSコンパイル, FBGA-78 SKハイニックス MT41K256M8DA-125:K 対 H5TQ2G83DFR-PBC

記述

SDRAM - DDR3LメモリIC 2Gb (256M x 8) パラレル800MHz 13.75ns 78-FBGA (8x10.5)
DRAMチップ DDR3L SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.35V 78ピン FBGA
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