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Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited
サンフアン・エレクトロニクス (香港) 株式会社
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MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA マイクロンテクノロジー株式会社
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Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited
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シティ:
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国/地域:
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MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA マイクロンテクノロジー株式会社
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モデル番号 :
MT47H128M16RT-25E:C TR
最低注文量 :
1
支払条件 :
T/T
供給能力 :
ストック
配達時間 :
3~5 営業日
パッケージの詳細 :
アンチステティックバッグと紙箱
記憶タイプ :
揮発
記憶フォーマット :
ドラム
テクノロジー :
SDRAM - DDR2
記憶容量 :
2Gbit
記憶構成 :
128M x 16
記憶インターフェイス :
パラレル
クロック周波数 :
400 MHz
周期にタイムの単語、ページを書きなさい :
15ns
アクセス時間 :
400 ps
電圧 - 供給 :
1.7V~1.9V
動作温度 :
0°C | 85°C (TC)
マウントタイプ :
表面マウント
パッケージ/ケース :
84-TFBGA
供給者のデバイスパッケージ :
84-FBGA (9x12.5)
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製品詳細
DDR2 SDRAM
MT47H256M4 32 メガ × 4 × 8 バンク
MT47H128M8 16 メグ × 8 × 8 банки
MT47H64M16 8 メグ × 16 × 8 банки
特徴
VDD = 1.8V ±0.1V,VDDQ = 1.8V ±0.1V
JEDEC標準 1.8V I/O (SSTL_18対応)
差分データストロブ (DQS,DQS#) オプション
• 4nビットプリフェッチアーキテクチャ
• x8 のための複製出力ストロブ (RDQS) オプション
• DQとDQSの移行をCKと調整するDLL
• 8つの内部バンクが同時に運用される
プログラム可能なCAS遅延 (CL)
• CAS 添加物 レイテンシー (AL)
• WRITE レイテンシー = READ レイテンシー - 1 tCK
• 選択可能なバースト長 (BL): 4 か 8
• 調整可能なデータ出力駆動強度
• 64ms, 8192サイクルリフレッシュ
• 死亡時に終了 (ODT)
■工業温度 (IT) オプション
自動車温度 (AT) オプション
• RoHS 準拠
• JEDECクロックジッター仕様に対応
仕様
属性
属性値
製造者
マイクロン・テクノロジー株式会社
製品カテゴリー
メモリIC
シリーズ
-
パッケージ
テープ&ロール (TR) 代替包装
パッケージケース
84-TFBGA
動作温度
0°C ~ 85°C (TC)
インターフェース
パラレル
電圧供給
1.7V~1.9V
供給者 デバイス パッケージ
84-FBGA (9x12.5)
記憶容量
2G (128M x 16)
メモリタイプ
DDR2 SDRAM
スピード
2.5ns
フォーマットメモリ
RAM
記述
SDRAM - DDR2メモリIC 2Gb (128M x 16) パラレル 400MHz 400ps 84-FBGA (9x12.5)
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