Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

サンフアン・エレクトロニクス (香港) 株式会社

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AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA アライアンスメモリー,インク

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AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA アライアンスメモリー,インク

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モデル番号 :AS4C16M16D1-5BCN
最低注文量 :1
支払条件 :T/T
供給能力 :ストック
配達時間 :3~5 営業日
パッケージの詳細 :アンチステティックバッグと紙箱
記憶タイプ :揮発
記憶フォーマット :ドラム
テクノロジー :SDRAM - DDR
記憶容量 :256Mbit
記憶構成 :16M x 16
記憶インターフェイス :パラレル
クロック周波数 :200 MHz
周期にタイムの単語、ページを書きなさい :15ns
アクセス時間 :700 ps
電圧 - 供給 :2.3V | 2.7V
動作温度 :0°C~70°C (TA)
マウントタイプ :表面マウント
パッケージ/ケース :60-TFBGA
供給者のデバイスパッケージ :60-TFBGA (8x13)
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製品詳細

特徴

• 組織: 1,048,576文字 × 4ビット
• 高速
- 40/50/60/70 ns RAS アクセス 時間
- 20/25/30/35 ns コラムアドレス アクセス 時間は
- 10/13/15/18 ns CAS アクセス 時間
• 低電力消費
-アクティブ:最大385mW (−60)
スタンバイ 5.5mW 最大 CMOS I/O
速報モード (AS4C14400) またはEDO (AS4C14405)
• 1024 更新サイクル, 16 ms の更新間隔
- RASのみまたはRAS前にCASリフレッシュ
• 読み取り,変更,書き込み
• TTL対応の3つの状態のI/O
• JEDEC 標準パッケージ
- 300ml 20/26ピンのSOJ
- 300ミリ 20/26ピンのTSOP
単一の5V電源
• ESD 保護 ≥ 2001V
切断電流 ≥ 200 mA

仕様

属性 属性値
製造者 アライアンス・メモリー
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ AS4C16M16D1
タイプ DDR1
パッケージ トレイ 代替パッケージ
マウントスタイル SMD/SMT
パッケージケース 60TFBGA
動作温度 0°C~70°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 2.3V~2.7V
供給者 デバイス パッケージ 60TFBGA (13x8)
記憶容量 256M (16M x 16)
メモリタイプ DDR SDRAM
スピード 200MHz
アクセス時間 0.7 ns
フォーマットメモリ RAM
最大動作温度 +70°C
動作温度範囲 0 C
組織 16 M × 16
供給電流最大 135mA
データバスの幅 16ビット
供給電圧最大 2.7V
供給電圧-分 2.3V
パッケージケース TFBGA-60
最大 時計周波数 200 MHz

記述

SDRAM - DDRメモリ IC 256Mb (16M x 16) パラレル200MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
DRAM 256M 2.5V 200Mhz 16M x 16 DDR1
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