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3 年
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| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | マキシム 統合 |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | DS1225AD |
| パッケージ | トューブ |
| マウントスタイル | 穴を抜ける |
| パッケージケース | 28DIPモジュール (0.600" 15.24mm) |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 4.5V~5.5V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 28 エディプ |
| 記憶容量 | 64K (8K x 8) |
| メモリタイプ | NVSRAM (非揮発性 SRAM) |
| スピード | 200nm |
| アクセス時間 | 200 ns |
| フォーマットメモリ | RAM |
| 最大動作温度 | +70°C |
| 動作温度範囲 | 0 C |
| 稼働供給電流 | 75mA |
| インターフェースタイプ | パラレル |
| 組織 | 8k × 8 |
| パート#アリアス | 90-1225A+D00 DS1225AD |
| データバスの幅 | 8ビット |
| 供給電圧最大 | 5.5V |
| 供給電圧-分 | 4.5V |
| パッケージケース | EDIP-28 |
| 製造者 パーツ# | 記述 | 製造者 | 比較する |
| DS1225Y-200+ 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール,8KX8,200ns,CMOS,0.720 INCH,ROHSコンパイル,DIP-28 | マキシム 統合製品 | DS1225AD-200+ と DS1225Y-200+ |
| DS1225AB-200IND 記憶力 |
8KX8 非揮発性 SRAM モジュール, 200ns, PDMA28, 0.720 INCH, DIP-28 | ロチェスター・エレクトロニクス | DS1225AD-200+ と DS1225AB-200IND |
| DS1225Y-200 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール,8KX8,200ns,CMOS,0.720 INCH,DIP-28 | マキシム 統合製品 | DS1225AD-200+ と DS1225Y-200 |
| DS1225AD-200 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール, 8KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, 0.720 INCH, 拡張, DIP-28 | ダラス・セミコンダクター | DS1225AD-200+ と DS1225AD-200 |
| DS1225AB-200IND+ 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール,8KX8,200ns,CMOS,PDMA28,0.720 INCH,ROHSコンパイル,DIP-28 | マキシム 統合製品 | DS1225AD-200+ と DS1225AB-200IND+ |
| BQ4010MA-200 記憶力 |
8KX8 非揮発性 SRAM モジュール,200ns,DMA28,DIP-28 | テキサス・インストラクション | DS1225AD-200+ と BQ4010MA-200 |
| BQ4010YMA-200 記憶力 |
8KX8 非揮発性 SRAM モジュール,200ns,PDIP28 | テキサス・インストラクション | DS1225AD-200+ と BQ4010YMA-200 |
| DS1225AB-200 記憶力 |
8KX8 非揮発性 SRAM モジュール, 200ns, PDMA28, 0.720 INCH, DIP-28 | ロチェスター・エレクトロニクス | DS1225AD-200+ と DS1225AB-200 |
| DS1225AB-200+ 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール,8KX8,200ns,CMOS,PDMA28,0.720 INCH,ROHSコンパイル,DIP-28 | マキシム 統合製品 | DS1225AD-200+ と DS1225AB-200+ |
| DS1225AD-200IND+ 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール,8KX8,200ns,CMOS,PDMA28,0.720 INCH,ROHSコンパイル,DIP-28 | マキシム 統合製品 | DS1225AD-200+ と DS1225AD-200IND+ |