Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

サンフアン・エレクトロニクス (香港) 株式会社

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IS49NLC18160-25B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA ISSI 統合シリコンソリューション株式会社

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IS49NLC18160-25B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA ISSI 統合シリコンソリューション株式会社

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モデル番号 :IS49NLC18160-25B
最低注文量 :1
支払条件 :T/T
供給能力 :ストック
配達時間 :3~5 営業日
パッケージの詳細 :アンチステティックバッグと紙箱
記憶タイプ :揮発
記憶フォーマット :ドラム
テクノロジー :RLDRAM 2
記憶容量 :288Mbit
記憶構成 :16m × 18
記憶インターフェイス :パラレル
クロック周波数 :400 MHz
周期にタイムの単語、ページを書きなさい :-
アクセス時間 :20 ns
電圧 - 供給 :1.7V~1.9V
動作温度 :0°C~70°C (TA)
マウントタイプ :表面マウント
パッケージ/ケース :144-TFBGA
供給者のデバイスパッケージ :144-FCBGA (11x18.5)
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製品詳細

■ 特徴

1スミット・トリガー・サーキット
2低電圧動作型 (VCC:2.3から7.0V)
3高い感度タイプ (IS481 E VHL: TYP. 5.4 lx at Ta=25 ̊C)
(IS482 E VLH: TYP. 5.4 lx ター=25 ̊C)
4. LSTTLとTTL互換性
5. 低レベルの出力 臨時照明 (IS481)
照明下での高レベルの出力 (IS482)

■ アプリケーション

1バッテリー駆動の携帯機器

仕様

属性 属性値
製造者 ISSI
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ IS49NLC18160
タイプ DDR1
パッケージ トレー
単位重量 0.015757オンス
マウントスタイル SMD/SMT
商標名 RLDRAM2
パッケージケース 144-TFBGA
動作温度 0°C~70°C (TA)
インターフェース 共同入出
電圧供給 1.7V~1.9V
供給者 デバイス パッケージ 144-FCBGA (11x18.5)
記憶容量 288M (16M x 18)
メモリタイプ RLDRAM 2
スピード 2.5ns
アクセス時間 2.5 ns
フォーマットメモリ RAM
最大動作温度 +70°C
動作温度範囲 0 C
組織 16 M × 18
供給電流最大 408 mA
データバスの幅 18ビット
供給電圧最大 1.9V
供給電圧-分 1.7V
パッケージケース BGA-144
最大 時計周波数 400 MHz

記述

DRAMメモリIC 288Mb (16M x 18) パラレル400MHz 20ns 144-FCBGA (11x18.5)
DRAM 288Mbit x18 普通 I/O 400MHz リード付き
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