Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

サンフアン・エレクトロニクス (香港) 株式会社

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PC28F640P30B85A IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA マイクロンテクノロジー株式会社

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PC28F640P30B85A IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA マイクロンテクノロジー株式会社

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モデル番号 :PC28F640P30B85A
最低注文量 :1
支払条件 :T/T
供給能力 :ストック
配達時間 :3~5 営業日
パッケージの詳細 :アンチステティックバッグと紙箱
記憶タイプ :不揮発性
記憶フォーマット :フラッシュ
テクノロジー :フラッシュ-
記憶容量 :64Mbit
記憶構成 :4M x 16
記憶インターフェイス :パラレル
クロック周波数 :52MHz
周期にタイムの単語、ページを書きなさい :85n
アクセス時間 :85ns
電圧 - 供給 :1.7V | 2V
動作温度 :-40°C ~ 85°C (TA)
マウントタイプ :表面マウント
パッケージ/ケース :64-TBGA
供給者のデバイスパッケージ :64-EasyBGA (10x13)
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製品詳細

紹介

本文書は,Intel StrataFlash® Embedded Memory (P30) デバイスに関する情報を提供し,その特性,動作,仕様を説明します.

製品の特徴

■ 高性能
¥ 85/88 初期アクセス
〜 40 MHz 待機状態ゼロ 20 ns 時計からデータ出力 シンクロンバースト読み込みモード
25 ns アシンクロンページ読み取りモード
4つ,8つ,16つ,そして連続的なワードバーストモード
緩衝強化工場プログラミング (BEFP) 5μs/バイト (タイプ)
◎ 1.8 V バッファリングプログラム 7 μs/バイト (タイプ)
■ 建築
多層細胞技術: 最低コストで最も高い密度
アシメトリックブロックされた建築
4つの32KByteのパラメータブロック:上または下配置
128-KByte メインブロック
■ 電圧 と 電力
◎VCC (コア) 電圧:1.7V ◎2.0V
VCCQ (I/O) 電圧:1.7V 3.6V
待機電流: 256-Mbit の 55 μA (タイプ)
4Word同期読み込み電流: 40MHzで13mA (タイプ)
■ 品質と信頼性
操作温度: 40 °Cから +85 °C
• SCSP で 1Gbit は 30 °C から +85 °C です
ブロックあたり最低100,000回の消去サイクル
ETOXTM VIII プロセスの技術 (130 nm)
■ セキュリティ
単一のプログラム可能なレジスタ:
• 64 の 独自の 工場 デバイス 識別 ビット
• 64 つのユーザプログラム可能な OTP ビット
• 2048 の追加的なユーザープログラム可能な OTP ビット
メイン配列で選択可能なOTPスペース:
• 4x32KB パラメータブロック + 3x128KB メインブロック (上または下配置)
絶対的な書き込み保護:VPP=VSS
パワー・トランジション消去/プログラムロックアウト
ゼロレイテンシーブロックロック
区画別ロックダウン
■ ソフトウェア
20 μs (タイプ) プログラム停止
20 μs (タイプ) 消去停止
インテル® フラッシュデータインテグレーター最適化
基本コマンドセットと拡張コマンドセットは互換性がある
共通フラッシュインターフェイス対応
■ 密度と包装
56-Lead TSOP パッケージの 64/128/256-Mbit 密度
¢ 64/128/256/512-Mbit密度 64ボール Intel®Easy BGA パッケージ
Intel®QUAD+ SCSP で 64/128/256/512-Mbit と 1 Gbit の密度
16 ビット幅のデータバス

仕様

属性 属性値
製造者 マイクロン・テクノロジー株式会社
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ ストラタフラッシュTM
パッケージ トレー
パッケージケース 64-TBGA
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 1.7V~2V
供給者 デバイス パッケージ 64EasyBGA (10x13)
記憶容量 64M (4M x 16)
メモリタイプ FLASH - NOR
スピード 85n
フォーマットメモリ フラッシュ

記述

FLASH - NOR メモリ IC 64Mb (4M x 16) 平行 52MHz 85ns 64-EasyBGA (10x13)
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