Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

サンフアン・エレクトロニクス (香港) 株式会社

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MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA マイクロンテクノロジー株式会社

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MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA マイクロンテクノロジー株式会社

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モデル番号 :MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR
最低注文量 :1
支払条件 :T/T
供給能力 :ストック
配達時間 :3~5 営業日
パッケージの詳細 :アンチステティックバッグと紙箱
記憶タイプ :揮発
記憶フォーマット :ドラム
テクノロジー :SDRAM -移動式LPDDR
記憶容量 :512Mbit
記憶構成 :16M x 32
記憶インターフェイス :パラレル
クロック周波数 :200 MHz
周期にタイムの単語、ページを書きなさい :15ns
アクセス時間 :5 ns
電圧 - 供給 :1.7V | 1.95V
動作温度 :-40°C ~ 85°C (TA)
マウントタイプ :表面マウント
パッケージ/ケース :90-VFBGA
供給者のデバイスパッケージ :90-VFBGA (8x13)
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製品詳細

移動型低電源DDR SDRAM

特徴

VDD/VDDQ = 1.70×1.95V
• バイトデータ (DQS) の2方向データストロブ
• 内部,パイプラインドダブルデータレート (DDR) アーキテクチャ; 時計サイクルあたり2つのデータアクセス
• 差点時計入力 (CK と CK#)
• ポジティブな CK エッジごとに入力されたコマンド
• DQS の端は READ のデータと並べられ,中央は WRITE のデータと並べられる
• 4つの内部バンクを同時に運用する
• データマスク (DM) 書き込みデータをマスクする; 1バイトあたり1つのマスク
• プログラム可能な爆発長 (BL): 2, 4, 8 または 16
• 同期自動前充電オプションがサポートされています.
• オートリフレッシュと自己リフレッシュモード
●1.8V LVCMOS対応の入力
• 温度 補償 自動 更新 (TCSR)
• 部分配列の自己更新 (PASR)
• 深度の停電 (DPD)
• 状態読み取りレジスタ (SRR)
選択可能な出力駆動強度 (DS)
• 時計停止能力
• 64ms のリフレッシュ, 32ms の自動車温度

仕様

属性属性値
製造者マイクロン・テクノロジー株式会社
製品カテゴリーメモリIC
シリーズ-
パッケージテープ&ロール (TR) 代替包装
パッケージケース90VFBGA
動作温度-40°C ~ 85°C (TA)
インターフェースパラレル
電圧供給1.7V~1.95V
供給者 デバイス パッケージ90VFBGA (8x13)
記憶容量512M (16M x 32)
メモリタイプ移動型LPDDR SDRAM
スピード200MHz
フォーマットメモリRAM

記述

SDRAM - モバイルLPDDRメモリIC 512Mb (16M x 32) パラレル200MHz 5.0ns 90-VFBGA (8x13)
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