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3 年
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| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | サイパス半導体 |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | AL-J |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) 代替包装 |
| パッケージケース | 48-VFBGA |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 2.7V~3.6V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 48-FBGA (8.15×6.15) |
| 記憶容量 | 8M (1M x 8 または 512K x 16) |
| メモリタイプ | FLASH - NOR |
| スピード | 70n |
| フォーマットメモリ | フラッシュ |
| 製造者 パーツ# | 記述 | 製造者 | 比較する |
| AT49BV802D-70CU 記憶力 |
フラッシュ, 512KX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM ピッチ,グリーン,プラスティック,CBGA-48 | アトメル株式会社 | S29AL008J70BFI023 対 AT49BV802D-70CU |
| S29AL008J70BFI020 記憶力 |
フラッシュ,512KX16,70ns PBGA48,FPBGA48 | サイパス半導体 | S29AL008J70BFI023 対 S29AL008J70BFI020 |
| M29W800DB70ZE6 記憶力 |
512KX16 フラッシュ 3V PROM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM ピッチ, TFBGA-48 | STMマイクロ電子機器 | S29AL008J70BFI023 対 M29W800DB70ZE6 |
| M29W800DB70ZE6E 記憶力 |
フラッシュ,512KX16,70ns,PBGA48,TFBGA-48 | マイクロン・テクノロジー | S29AL008J70BFI023 対 M29W800DB70ZE6E |
| S29AL008D70BFI020 記憶力 |
フラッシュ,512KX16,70ns,PBGA48,8.15 X 6.15 MM,リードフリー,FBGA-48 | サイパス半導体 | S29AL008J70BFI023 対 S29AL008D70BFI020 |
| S29AL008J70BFI022 記憶力 |
フラッシュ,512KX16,70ns PBGA48,FPBGA48 | サイパス半導体 | S29AL008J70BFI023 対 S29AL008J70BFI022 |
| S29AL008J70BFN020 記憶力 |
フラッシュ,512KX16,70ns PBGA48,FPBGA48 | サイパス半導体 | S29AL008J70BFI023 対 S29AL008J70BFN020 |
| MX29LV800BBXEI-70G 記憶力 |
フラッシュ, 512KX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8MM, 1.30MM HEIGHT, 0.80MM PITCH,鉛のない,プラスティック,MO-219,CSP-48 | マクロニックス・インターナショナル・コー・株式会社 | S29AL008J70BFI023 対 MX29LV800BBXEI-70G |
| M29W800DB70ZE6F 記憶力 |
フラッシュ,512KX16,70ns,PBGA48,TFBGA-48 | マイクロン・テクノロジー | S29AL008J70BFI023 対 M29W800DB70ZE6F |
| S29AL008J70BFN040 記憶力 |
フラッシュ,512KX16,70ns PBGA48,FPBGA48 | サイパス半導体 | S29AL008J70BFI023 対 S29AL008J70BFN040 |