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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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RC28F320C3TA110 IC Flash 32MBIT PAR 64EASYBGA インテル

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モデル番号 :RC28F320C3TA110

最低注文量 :1

支払条件 :T/T

供給能力 :ストック

配達時間 :3~5 営業日

パッケージの詳細 :アンチステティックバッグと紙箱

記憶タイプ :不揮発性

記憶フォーマット :フラッシュ

テクノロジー :フラッシュ - ブートブロック

記憶容量 :32Mbit

記憶構成 :2M x 16

記憶インターフェイス :パラレル

クロック周波数 :-

周期にタイムの単語、ページを書きなさい :110ns

アクセス時間 :110ns

電圧 - 供給 :2.7V~3.6V

動作温度 :-40°C ~ 85°C (TA)

マウントタイプ :表面マウント

パッケージ/ケース :64-TBGA

供給者のデバイスパッケージ :64-EasyBGA （10x13）

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製品詳細

装置の説明

このセクションは,Intel® Advanced+ ブートブロックフラッシュメモリ (C3) デバイスの機能,パッケージ,信号命名,デバイスアーキテクチャの概要を提供します.

製品概要

C3デバイスは,16ビットデータバスでパッケージ互換性密度の高性能アシンクロン読み取りを提供します.個別に消すメモリブロックは,コードとデータストレージのために最適サイズです.8つの4 Kwordパラメータブロックは,デバイスのメモリーマップの上または下のいずれかのブートブロックに位置しています残りのメモリ配列は 32 Kword メインブロックに分類されます.

製品の特徴

■ 柔軟なスマート電圧技術
読み込み/プログラム/削除
快速生産プログラムのために12V
■ 1.65 V/2.5 Vまたは 2.7 V/3.6 V I/O オプション
システム全体の電力を減らす
■ 高性能
¥2.7 V¥3.6 V:最大アクセス時間70 ns
■コードプラスデータストレージのための最適化されたアーキテクチャ
八つの4kwordブロック,上または下のパラメータブート
百二十七 32 Kword ブロックまで
快速プログラム停止能力
快速消去停止能力
■ 柔軟なブロックロック
ブロックをロック/ロック解除
完全保護充電時に
ハードウェアブロック保護用のピン
■ 低電力消費
平均読み込みは9mA
自動省エネ機能 (APS) を備えた典型的な待機状態
■ 拡張温度操作
¥40 °Cから+85 °C
■ 128 ビットの保護登録
64 ビット単一のデバイス識別子
64 ビットプログラム可能な OTP セル
■ サイクリング能力の拡大
ブロック消去サイクルを少なくとも10万回
■ ソフトウェア
Intel®フラッシュデータインテグレーター (FDI)
サポートトップまたはボトムブートストレージ,ストリーミングデータ (例えば,音声)
¢インテル基本コマンドセット
共同フラッシュインターフェイス (CFI)
■ 標準的な表面マウントパッケージ
¥48ボール μBGA*/VFBGA
64ボールのBGAパッケージ
〜48-リードTSOPパッケージ
■ ETOXTM VIII (0.13 μm) フラッシュテクノロジー
¥16, 32 Mbit
■ ETOXTM VII (0.18 μm) フラッシュテクノロジー
¥16,32,64 Mbit
■ ETOXTM VI (0.25 μm) フラッシュテクノロジー
¥8,16と32 Mbit

仕様

属性	属性値
製造者	インテル
製品カテゴリー	メモリIC
シリーズ	-
パッケージ	トレー
パッケージケース	64-TBGA
動作温度	-40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース	パラレル
電圧供給	2.7V~3.6V
供給者デバイスパッケージ	64EasyBGA (10x13)
記憶容量	32M (2M x 16)
メモリタイプ	アドバンスト + ブートブロック FLASH
スピード	110ns
フォーマットメモリ	フラッシュ

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