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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP マイクロンテクノロジー株式会社

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モデル番号 :MT46V32M16P-5B:J TR

最低注文量 :1

支払条件 :T/T

供給能力 :ストック

配達時間 :3~5 営業日

パッケージの詳細 :アンチステティックバッグと紙箱

記憶タイプ :揮発

記憶フォーマット :ドラム

テクノロジー :SDRAM - DDR

記憶容量 :512Mbit

記憶構成 :32M x 16

記憶インターフェイス :パラレル

クロック周波数 :200 MHz

周期にタイムの単語、ページを書きなさい :15ns

アクセス時間 :700 ps

電圧 - 供給 :2.5V～2.7V

動作温度 :0°C~70°C (TA)

マウントタイプ :表面マウント

パッケージ/ケース :66-TSSOP （0.400"、10.16mmの幅）

供給者のデバイスパッケージ :66-TSOP

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製品詳細

機能説明

DDR SDRAMは高速操作を達成するために二重データレートアーキテクチャを使用する.ダブルデータレートアーキテクチャは,本質的にI/Oピンのクロックサイクルごとに2つのデータワードを転送するように設計されたインターフェースを持つ2nプレフェッチアーキテクチャです. DDR SDRAM の単一の読み書きアクセスは,内部 DRAM コアで単一の 2n ビット幅, 1 クロックサイクルデータ転送と 2 つの対応する n ビット幅で構成されています.I/Oピンの半時間のデータ転送.

特徴

VDD = +2.5V ±0.2V,VDDQ = +2.5V ±0.2V
VDD = +2.6V ±0.1V,VDDQ = +2.6V ±0.1V (DDR400)
双方向データストロブ (DQS) 送信
データ,すなわち源同期データで受信された
捕捉 (x16 はバイト 1 バイト 1 バイト 1 バイト 1 バイト 1 バイト 1 バイト 1 バイト 1 バイト 1 バイト 1
• 内部,パイプラインド・ダブル・データ・レート (DDR)
建築: 時計サイクルあたり2つのデータアクセス
• 差点時計入力 (CK と CK#)
• ポジティブな CK エッジごとに入力されたコマンド
• DQSは, READのデータとエッジアライナインされ,WRITEのデータとセンターアライナインされる
• DQとDQSの移行をCKと調整するDLL
• 4つの内部銀行が同時に機能する
• 書き込みデータをマスクするためのデータマスク (DM)
(x16 はバイトあたり 2 ∼ 1 バイトがあります)
• プログラムできる爆発長さ: 2,4,または 8
• オートリフレッシュ
64ms, 8192サイクル (商業および産業用)
16ms 8192サイクル (自動車)
• 自動更新 (AT デバイスでは利用できません)
信頼性の向上のための長時間TSOP (OCPL)
■ 2.5V I/O (SSTL_2対応)
• 同期自動前充電オプションがサポートされています.
•tRASロックアウトサポート (tRAP = tRCD)

仕様

属性	属性値
製造者	マイクロン・テクノロジー株式会社
製品カテゴリー	メモリIC
シリーズ	-
パッケージ	テープ&ロール (TR) 代替包装
パッケージケース	66-TSSOP (0.400", 10.16mm 幅)
動作温度	0°C~70°C (TA)
インターフェース	パラレル
電圧供給	2.5V~2.7V
供給者デバイスパッケージ	66-TSOP
記憶容量	512M (32M x 16)
メモリタイプ	DDR SDRAM
スピード	5ns
フォーマットメモリ	RAM

記述

SDRAM - DDRメモリIC 512Mb (32M x 16) パラレル200MHz 700ps 66-TSOP

DRAMチップ DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.6V 66ピンTSOP T/R

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