Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

サンフアン・エレクトロニクス (香港) 株式会社

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70T3539MS133BC IC SRAM 18MBIT PAR 256CABGA レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

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70T3539MS133BC IC SRAM 18MBIT PAR 256CABGA レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

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モデル番号 :70T3539MS133BC
最低注文量 :1
支払条件 :T/T
供給能力 :ストック
配達時間 :3~5 営業日
パッケージの詳細 :アンチステティックバッグと紙箱
記憶タイプ :揮発
記憶フォーマット :SRAM
テクノロジー :SRAM - デュアルポート,同期
記憶容量 :18Mbit
記憶構成 :512K X 36
記憶インターフェイス :パラレル
クロック周波数 :133のMHz
周期にタイムの単語、ページを書きなさい :-
アクセス時間 :4.2 ns
電圧 - 供給 :2.4V~2.6V
動作温度 :0°C~70°C (TA)
マウントタイプ :表面マウント
パッケージ/ケース :256-LBGA
供給者のデバイスパッケージ :256-CABGA (17x17)
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製品詳細

超電圧停止装置 2電極停止装置

仕様

属性 属性値
製造者 統合回路システム
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ 70T3539M
タイプ シンクロン
パッケージ トレイ 代替パッケージ
マウントスタイル SMD/SMT
パッケージケース 256-LBGA
動作温度 0°C~70°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 2.4V~2.6V
供給者 デバイス パッケージ 256-CABGA (17x17)
記憶容量 18M (512K x 36)
メモリタイプ SRAM - デュアルポート,同期
スピード 133MHz
アクセス時間 4.2 ns
フォーマットメモリ RAM
最大動作温度 +70°C
動作温度範囲 0 C
インターフェースタイプ パラレル
組織 512k x 36
供給電流最大 740 mA
パート#アリアス 70T3539M IDT70T3539MS133BC 試聴する
供給電圧最大 2.6V
供給電圧-分 2.4V
パッケージケース CABGA-256
最大 時計周波数 133 MHz

記述

SRAM - デュアルポート,同期メモリIC 18Mb (512K x 36) 133MHz 4.2ns 256-CABGA (17x17)
SRAM 512K X 36 STD-PWR 2.5V デュアルポート RAM
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