一般説明
Micron NAND Flashデバイスには,高性能 I/O 操作のための非同期データインターフェイスが含まれています.これらのデバイスは,コマンド,アドレス,データを転送するために高度にマルチプレックスされた 8 ビットバス (I/Ox) を使用します.5つの制御信号がアシンクロンデータインターフェースを実装するために使用されていますCE#,CLE,ALE,WE#,RE#.追加の信号はハードウェア制御,書き込み保護,デバイスの状態の監視 (R/B#).
このハードウェアインターフェイスは,低ピン数デバイスを製造し,標準的なピンアウトが1つの密度から別の密度まで同じであり,ボードの再設計なしで将来的により高い密度へのアップグレードを可能にします.
ターゲット (target) は,チップの有効信号がアクセスするメモリ単位である.ターゲットには1つ以上のNAND Flash ドライが含まれている.NAND Flash ドライは,コマンドを独立して実行し,状態を報告できる最小単位です.. NAND Flash ダイは,ONFI 仕様では,論理単位 (LUN) と呼ばれる.チップ有効信号ごとに少なくとも 1 つの NAND Flash ダイがあります.詳細については,デバイスと配列の組織を参照.
このデバイスは,GET/SET機能を使用して有効にできる内部4ビットECCを持っています.
詳細については,ECCの内部ECCとスペアエリアマッピングを参照してください.
特徴
• オープン NAND フラッシュ インターフェイス (ONFI) 1.0対応1
• 単層セル (SLC) テクノロジー
• 組織
ページサイズ x8: 2112バイト (2048 + 64バイト)
ページサイズ x16: 1056文字 (1024 + 32文字)
ブロックサイズ: 64ページ (128K + 4Kバイト)
飛行機の大きさ: 2つの飛行機 × 2048個のブロック
デバイスサイズ: 4Gb: 4096ブロック; 8Gb: 8192ブロック 16Gb: 16,384ブロック
• アシンクロン I/O 性能
TRC/tWC: 20ns (3.3V), 25ns (1.8V)
• 配列の性能
ページを読む: 25μs 3
プログラムページ: 200μs (タイプ:1.8V,3.3V)
消去ブロック: 700μs (TYP)
• コマンドセット: ONFI NAND フラッシュ プロトコル
• 高度なコマンドセット
プログラムページキャッシュモード4
ページキャッシュモード 4 を読み
一回プログラム可能な (OTP) モード
2つの飛行機のコマンド 4
インターリーブド・ダイ (LUN) 操作
単一のIDを読み取れる
ブロックロック (1.8Vのみ)
内部データ移動
動作状態のバイトは,ソフトウェアによる検出方法を提供します.
操作の完了
合格/不合格条件
書き込み保護状態
準備/忙しい# (R/B#) シグナルは,動作完了を検出するハードウェア方法を提供します.
• WP# 信号: デバイス全体を保護する
・最初のブロック (ブロックアドレス00h) は,ECCで工場から出荷した場合に有効です.最低必要なECCについては,エラー管理を参照してください.
ブロック0は,プログラム/消去サイクルが1000未満である場合,1ビットECCが必要です.
オンした後で最初のコマンドとして RESET (FFh) が必要です.
• 起動後,デバイスの初期化 (Nand_In it) の代替方法 (コンタクトファクトリー)
• データを読み取っている平面内でサポートされる内部データ移動操作
• 品質と信頼性
データの保存: 10年
耐久性: 100,000 プログラム/消去 サイクル
• 稼働電圧範囲
VCC:2.7V3.6V
VCC:1.7V1.95V
• 動作温度:
商業用: 0°Cから+70°C
産業用 (IT): 40°Cから+85°C
• パッケージ
48ピンのTSOPタイプ1,CPL2
63ボールのVFBGA
