一般説明
Micron NAND Flash デバイスには,高性能 I/O 操作のための非同期データインターフェイスが含まれています.これらのデバイスは,コマンド,アドレス,データを転送するために高度なマルチプレックス 8 ビットバス (DQx) を使用します.asyn chronous データインターフェースを実装するために使用される5つの制御信号があります: CE#,CLE,ALE,WE#,RE#.追加の信号は,ハードウェアの書き込み保護 (WP#) とデバイスの状態のモニタリング (R/B#) を制御する.
特徴
•オープン NAND フラッシュ インターフェイス (ONFI) 2.2 に準拠1
• 多層細胞技術 (MLC)
• 組織
ページサイズ x8: 8640バイト (8192 + 448バイト)
ブロックサイズ: 256ページ (2048K + 112Kバイト)
飛行機の大きさ: 2つの飛行機 × 2048個のブロック
デバイスサイズ: 64Gb: 4096ブロック
128Gb: 8192ブロック
256Gb: 16,384ブロック
512Gb: 32,786ブロック
• 同期 I/O 性能
シンクロンタイミングモード5まで
時間の速さ: 10ns (DDR)
ピンあたり読み書きのスループット: 200 MT/s
• アシンクロン I/O 性能
アシンクロンタイムモード5まで
ほら
tRC/tWC: 20ns (MIN)
• 配列の性能
ページを読む時間:50μs (MAX)
プログラムページ: 1300μs (TYP)
削除ブロック: 3ms (TYP)
• 稼働電圧範囲
VCC:2.7V3.6V
VCCQ:1.7V1.95V 2.7V3.6V
• コマンドセット: ONFI NAND フラッシュ プロトコル
• 高度なコマンドセット
プログラムキャッシュ
読み取れるキャッシュ
ランダムにキャッシュを読む
一回プログラム可能な (OTP) モード
複数の飛行機のコマンド
複数のLUNの運用
単一のIDを読み取れる
複製版
• 最初のブロック (ブロックアドレス 00h) は,送料時に有効です
必要なECCの最小値については,
エラー管理 (109ページ)
電源を入れると最初のコマンドとして RESET (FFh) が必要です.
について
操作状態のバイトは,ソフトウェアの
検出する
操作の完了
合格/不合格条件
書き込み保護状態
• データ ストロブ (DQS) 信号 は ハードウェア 方法 を 提供 し て い ます
DQ の同期データ
インターフェース
• 飛行機内でのコピーバック操作がサポートされます
データを読み取れる
• 品質と信頼性
データの保存: 10年
耐久性: 5000 プログラム/消去サイクル
• 動作温度:
商業用: 0°Cから+70°C
産業用 (IT): 40°Cから+85°C
• パッケージ
52パッドLGA
48ピンのTSOP
100ボールのBGA