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64MbのSDRAMは,高速CMOS,ダイナミックランダムアクセスメモリで,67個を含む3.3Vメモリシステムで動作するように設計されています.108864ビットで,内部は4つのDRAMで インターフェースが同期しています77716ビット×256列×4096行に分類されます.
64MbのSDRAMには,AUTO REFRESH MODEと,省エネ,消電モードが含まれています.すべての信号は,クロック信号の正端,CLKに登録されています.すべての入力と出力は LVTTL対応です.
64Mb SDRAMは,自動的な列アドレス生成により,高速なデータ速度でデータを同期的に爆発させる能力を有する.内部バンク間を切り替える能力,プレチャージ時間を隠し,バーストアクセス中に各クロックサイクルで列のアドレスをランダムに変更する能力.
AUTO PRECHARGE 機能が有効になっている状態で,バーストシーケンス終了時に開始される自動タイムラインの予充電が可能です.他の3つの銀行の1つにアクセスしながら,前充電サイクルを隠し,シームレスな提供します高速でランダムなアクセスです
SDRAMの読み書きアクセスは,選択した場所からスタートし,プログラムされたシーケンスでプログラムされた数々の場所で継続する.ACTIVE コマンドの登録はアクセスを開始します,その後は READ または WRITE コマンド.登録されたアドレスビットと併用してACTIVE コマンドは,アクセスされる銀行と行を選択するために使用されます (BA0,BA1,銀行を選択;A0-A11 行を選択する)登録されたアドレスビットと組み合わせた READ または WRITE コマンドは,バーストアクセスのための開始列位置を選択するために使用されます.
プログラム可能な READ または WRITE バスト長さは 1, 2, 4 および 8 の位置,またはバスト終了オプションのフルページで構成されます.
• 時計周波数: 166,143 MHz
• 完全同期;すべての信号は正の時計のエッジに参照される
• 隠し列へのアクセス/前充電のための内部バンク
単一の3.3V電源
• LVTTLインターフェース
• プログラム できる 爆発 長さ (1, 2, 4, 8, 全ページ)
• プログラム可能な爆発配列: 配列/インターリーブ
• 自動 更新 モード
• 4096 リフレッシュ サイクル
• 時計サイクルごとにランダムな列アドレス
• プログラム可能なCAS レイテンシー (2,3 時間)
• 読み込み/書き込み,読み込み/書き込み操作の能力
• 爆発停止と前充電コマンドによる爆発停止
• LDQMとUDQMによって制御されるバイト
パッケージ: 400ミリ 54ピンTSOPII
• 鉛のないパッケージが用意されています.
• 工業用温度で利用可能
• 切断と深切切断電モード
• 部分 の 配列 自己 更新
● 温度 を 補正 する 自己 更新
• 出力ドライバーの強度選択 (モバイル機能の詳細についてはプロダクトマネージャーに連絡してください)
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | ISSI |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | - |
| パッケージ | トレイ 代替パッケージ |
| パッケージケース | 54-TSOP (0.400", 10.16mm 幅) |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 3V~3.6V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 54-TSOPII |
| 記憶容量 | 64M (4M x 16) |
| メモリタイプ | SDRAM |
| スピード | 143MHz |
| フォーマットメモリ | RAM |