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Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

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S29GL128P90TFIR10 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP インフィニオン・テクノロジーズ

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モデル番号 :S29GL128P90TFIR10

最低注文量 :1

支払条件 :T/T

供給能力 :ストック

配達時間 :3~5 営業日

パッケージの詳細 :アンチステティックバッグと紙箱

記憶タイプ :不揮発性

記憶フォーマット :フラッシュ

テクノロジー :フラッシュ-

記憶容量 :128Mbit

記憶構成 :16M x 8

記憶インターフェイス :パラレル

クロック周波数 :-

周期にタイムの単語、ページを書きなさい :90ns

アクセス時間 :90 ns

電圧 - 供給 :2.7V~3.6V

動作温度 :-40°C ~ 85°C (TA)

マウントタイプ :表面マウント

パッケージ/ケース :56-TFSOP （0.724"、18.40mmの幅）

供給者のデバイスパッケージ :56-TSOP

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製品詳細

1 ギガビット,512 メガビット,256 メガビットおよび 128 メガビット 3.0 ボルトのみのページモードフラッシュメモリ,90nmのミラービットプロセス技術

一般説明

Spansion S29GL01G/512/256/128Pは,90nmプロセス技術で製造されたミラービット®フラッシュ製品である.これらのデバイスは,対応するランダムアクセス時間が 90 ns までの高速で 25 ns の高速ページアクセス時間を提供します. 文字・バイトの最大32文字/64バイトを1回の操作でプログラムできるようにする書き込みバッファが搭載されており,標準プログラミングアルゴリズムよりも効率的なプログラミング時間が短くなっています.より高い密度を必要とするインベテッドアプリケーションに最適です性能が向上し消費電力が低くなっています

特徴

■単一の3V読み込み/プログラム/消去 (2.7-3.6V)
■ 汎用化/OTM制御の強化
すべての入力レベル (アドレス,制御,DQ入力レベル) と出力は,VIO入力上の電圧によって決定されます.VIO範囲は1.65からVCCです.
■ 90nm ミラービットプロセスの技術
■ 8 文字/16 バイトのページ読み込みバッファー
■ 32語/64バイトの書き込みバッファは,複数の単語更新のプログラム時間を全体的に短縮します
■ 安全なシリコンセクター地域
8文字/16バイトのランダム電子シリアル番号による永久かつ安全な識別のための128文字/256バイトのセクター
工場または顧客によってプログラムされ,ロックすることができます
■ 64 Kword/128 Kbyte の単一セクターアーキテクチャ
S29GL01GP: 一千二十四部門
S29GL512P: 512部門
S29GL256P: 256部門
S29GL128P: 一百二十八部門
■ 業界ごとに10万回の消去サイクル
■ 20 年間のデータ保存
■ 提供されたパッケージ
56ピンのTSOP
64ボール強化BGA
■ プログラムと消去操作のコマンドを停止し再開する
■ 書き込み操作状態ビットプログラムと削除操作の完了を示します
■ プログラム時間を短縮するバイパスプログラムコマンドの解錠
■ CFI (Common Flash Interface) をサポートする
■ 先進的な部門保護の持続的方法とパスワード方法
■ WP#/ACC入力
システム生産中により多くのスループットのためにプログラミング時間を加速 (VHHが適用される場合)
部門保護設定に関係なく,最初のまたは最後のセクターを保護します.
■ ハードウェアリセット入力 (RESET#) リセットデバイス
■ Ready/Busy#出力 (RY/BY#) は,プログラムまたは消去サイクル完了を検出します.

仕様

属性	属性値
製造者	サイパス半導体
製品カテゴリー	メモリIC
シリーズ	GL-P
パッケージ	トレイ代替パッケージ
マウントスタイル	SMD/SMT
動作温度範囲	-40°Cから+85°C
パッケージケース	56-TFSOP (0.724", 18.40mm 幅)
動作温度	-40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース	パラレル
電圧供給	2.7V~3.6V
供給者デバイスパッケージ	56-TSOP
記憶容量	128M (16M x 8)
メモリタイプ	FLASH - NOR
スピード	90n
建築	セクター
フォーマットメモリ	フラッシュ
インターフェースタイプ	パラレル
組織	16 M × 8
供給電流最大	110 mA
データバスの幅	8ビット
供給電圧最大	3.6V
供給電圧-分	2.7V
パッケージケース	TSOP-56
タイムタイプ	アシンクロン

機能的に互換性のある部品

形式パッケージ機能互換性のある部品

製造者パーツ#	記述	製造者	比較する
S29GL128P90TAIR20 記憶力	フラッシュ, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56	サイパス半導体	S29GL128P90TFIR10対S29GL128P90TAIR20
S29GL128P90TFCR13 記憶力	フラッシュ, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56	サイパス半導体	S29GL128P90TFIR10対S29GL128P90TFCR13
S29GL128P90TFIR23 記憶力	フラッシュ, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56	サイパス半導体	S29GL128P90TFIR10対S29GL128P90TFIR23
S29GL128P90TFCR20 記憶力	フラッシュ, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56	サイパス半導体	S29GL128P90TFIR10対S29GL128P90TFCR20
S29GL128P90TFCR23 記憶力	フラッシュ, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56	サイパス半導体	S29GL128P90TFIR10対S29GL128P90TFCR23
S29GL128P90TFIR13 記憶力	フラッシュ, 128MX1, 90ns, PDSO56, 20 X 14 MM,リードフリー, MO-142EC, TSOP-56	拡大	S29GL128P90TFIR10対S29GL128P90TFIR13
S29GL128P90TAIR13 記憶力	フラッシュ, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56	サイパス半導体	S29GL128P90TFIR10対S29GL128P90TAIR13
S29GL128P90TAIR23 記憶力	フラッシュ, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56	サイパス半導体	S29GL128P90TFIR10対S29GL128P90TAIR23
S29GL128P90TFCR10 記憶力	フラッシュ, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56	サイパス半導体	S29GL128P90TFIR10対S29GL128P90TFCR10
S29GL128P90TFIR20 記憶力	フラッシュ, 128MX1, 90ns, PDSO56, 20 X 14 MM,リードフリー, MO-142EC, TSOP-56	拡大	S29GL128P90TFIR10対S29GL128P90TFIR20

記述

FLASH - NOR メモリ IC 128Mb (16M x 8) パラレル 90ns 56-TSOP

NOR フラッシュパラレル 3V/3.3V 128Mビット 16M x 8/8M x 16 90ns 56ピンのTSOPトレイ

フラッシュメモリ 128Mb 3V 90ns NOR フラッシュ

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