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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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S29GL01GS11FHIV23 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA インフィニオン・テクノロジーズ

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モデル番号 :S29GL01GS11FHIV23

最低注文量 :1

支払条件 :T/T

供給能力 :ストック

配達時間 :3~5 営業日

パッケージの詳細 :アンチステティックバッグと紙箱

記憶タイプ :不揮発性

記憶フォーマット :フラッシュ

テクノロジー :フラッシュ-

記憶容量 :1Gbit

記憶構成 :64M x 16

記憶インターフェイス :パラレル

クロック周波数 :-

周期にタイムの単語、ページを書きなさい :60ns

アクセス時間 :110ns

電圧 - 供給 :1.65V | 3.6V

動作温度 :-40°C ~ 85°C (TA)

マウントタイプ :表面マウント

パッケージ/ケース :64-LBGA

供給者のデバイスパッケージ :64-FBGA （13x11）

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製品詳細

GL-S MirrorBit® EclipseTM フラッシュ非揮発性メモリファミリー

S29GL01GS 1 Gbit (128 Mbyte)
S29GL512S 512 Mbit (64 Mbyte)
S29GL256S 256 Mbit (32 Mbyte)
S29GL128S 128 Mbit (16 Mbyte)
CMOS 3.0 ボルトコア汎用型I/O

一般説明

Spansion® S29GL01G/512/256/128Sは,65nmプロセスの技術で製造されたMirrorBit Eclipseフラッシュ製品である.これらのデバイスは 15 ns の速度で高速なページアクセス時間を提供し,それに対応するランダムアクセス時間は 90 ns の速度です書き込みバッファを搭載し,最大256文字/512バイトを1回の操作でプログラムできます.
標準的なプログラミングアルゴリズムよりもプログラミング時間が長くなっています.これは,より高密度,より優れたパフォーマンス,低電力消費を必要とする今日の埋め込みアプリケーションに最適なデバイスです.

特徴

¥65nm ミラービットエクリプステクノロジー
単一電源 (VCC) 読み込み/プログラム/消去 (2.7Vから3.6V)
汎用的な I/O 機能
広範囲のI/O電圧 (VIO):1.65VからVCC
x16 データバス
32バイトの非同期ページ読み込み
512 バイトのプログラムバッファ
ページ倍数でプログラミング,最大512バイトまで
単語のプログラムと単語のオプションの複数のプログラム
セクターの消去
単一の128kbyteセクター
プログラムと消去操作のコマンドを停止し再開する
状態登録,データアンケート,デバイスの状態を決定するための準備/忙しいピン方法
産業保護 (ASP)
各部門の揮発性・非揮発性保護方法
2つのロック可能な領域を持つ 1024 バイトの単一のプログラム (OTP) アレイを分離する
共通フラッシュインターフェイス (CFI) パラメータ表
温度範囲
工業用 (-40°Cから+85°C)
客室内 (-40°C~+105°C)
業界に特有の100,000回の消去サイクル
典型的な20年間のデータ保存
包装オプション
56ピンのTSOP
64ボールのLAA 強化BGA 13mm x 11mm
64ボールのLAE 強化BGA 9mmx9mm
56ボールのVBU 強化BGA 9mm×7mm

仕様

属性	属性値
製造者	サイパス半導体
製品カテゴリー	メモリIC
シリーズ	GL-S
パッケージ	テープ&ロール (TR) 代替包装
パッケージケース	64LBGA
動作温度	-40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース	パラレル
電圧供給	1.65V~3.6V
供給者デバイスパッケージ	強化されたBGA (13x11)
記憶容量	1G (64M x 16)
メモリタイプ	FLASH - NOR
スピード	110ns
フォーマットメモリ	フラッシュ

機能的に互換性のある部品形式パッケージ機能互換性のある部品

製造者パーツ#	記述	製造者	比較する
S29GL01GS11DHIV20 記憶力	フラッシュ 128MX8, 110ns PBGA64, FBGA-64	サイパス半導体	S29GL01GS11FHIV23対S29GL01GS11DHIV20
S29GL01GS11DHIV10 記憶力	フラッシュ 128MX8, 110ns PBGA64 パッケージ	サイパス半導体	S29GL01GS11FHIV23対S29GL01GS11DHIV10
S29GL01GS10DHI020 記憶力	フラッシュ, 128MX8, 100ns, PBGA64, パッケージ	サイパス半導体	S29GL01GS11FHIV23対S29GL01GS10DHI020
S29GL01GS11DHI020 記憶力	フラッシュ 128MX8, 110ns PBGA64, FBGA-64	サイパス半導体	S29GL01GS11FHIV23対S29GL01GS11DHI020
S29GL01GS10DHI010 記憶力	フラッシュ, 128MX8, 100ns, PBGA64, パッケージ	サイパス半導体	S29GL01GS11FHIV23対S29GL01GS10DHI010
S29GL01GS11DHI010 記憶力	フラッシュ 128MX8, 110ns PBGA64, FBGA-64	サイパス半導体	S29GL01GS11FHIV23対S29GL01GS11DHI010
S29GL01GS12DHIV10 記憶力	フラッシュ, 128MX8, 120ns, PBGA64, 9 X 9 MM,ハロゲンフリーと鉛フリー, FBGA-64	サイパス半導体	S29GL01GS11FHIV23 vs S29GL01GS12DHIV10
S29GL01GS10FHI010 記憶力	フラッシュ 64MX16,100ns PBGA64, FBGA-64	サイパス半導体	S29GL01GS11FHIV23 vs S29GL01GS10FHI010
S29GL01GS11FHIV10 記憶力	フラッシュ 64MX16, 110ns PBGA64, FBGA-64	サイパス半導体	S29GL01GS11FHIV23対S29GL01GS11FHIV10
S29GL01GS11FHI010 記憶力	128MX8,110ns PBGA64 フラッシュ	サイパス半導体	S29GL01GS11FHIV23対S29GL01GS11FHI010

記述

FLASH - NOR メモリ IC 1Gb (64M x 16) パラレル 110ns 64-Fortified BGA (13x11)

NORフラッシュパラレル 3V/3.3V 1Gビット 64M x 16 110ns 64ピン強化BGA T/R

フラッシュメモリ 1G BIT,3V,110NS,64BALL FBGA,ページモードフラッシュメモリ 65nm MIRRORBIT PROCESS TECHNOLOGY,VIO,LOWEST ADDRESS SECTOR PROTECTED

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