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3 年
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| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | 一半 |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | CAT24C128 |
| パッケージ | 代替包装 |
| 単位重量 | 0.005573オンス |
| マウントスタイル | SMD/SMT |
| パッケージケース | 8-TSSOP (0.173",4.40mm 幅) |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| インターフェース | I2C 2ワイヤ シリアル |
| 電圧供給 | 1.8V~5.5V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 8-TSSOP |
| 記憶容量 | 128K (16K x 8) |
| メモリタイプ | EEPROM |
| スピード | 400kHz |
| アクセス時間 | 900 ns |
| フォーマットメモリ | EEPROM - シリアル |
| 最大動作温度 | + 85C |
| 動作温度範囲 | - 40°C |
| 稼働電源電圧 | 2.5V 3.3V 5V |
| 稼働供給電流 | 3mA |
| インターフェースタイプ | シリアル2ワイヤーI2C |
| 組織 | 16k x 8 |
| 供給電流最大 | 3mA |
| 供給電圧最大 | 5.5V |
| 供給電圧-分 | 1.8V |
| パッケージケース | TSSOP-8 |
| 最大 時計周波数 | 0.4 MHz |
| データの保存 | 100 年 |
| 製造者 パーツ# | 記述 | 製造者 | 比較する |
| BR24S128FVT-WE2 記憶力 |
EEPROM, 16KX8, シリアル, CMOS, PDSO8, ROHS コンパイル, TSSOP-8 | ROHM 半導体 | CAT24C128YI-GT3 対 BR24S128FVT-WE2 |
| CAV24C128YE-GT3 記憶力 |
EEPROM シリアル 128-Kb I | オン 半導体 | CAT24C128YI-GT3 対 CAV24C128YE-GT3 |
| BR24T128FVT-WGE2 記憶力 |
2 | ROHM 半導体 | CAT24C128YI-GT3 対 BR24T128FVT-WGE2 |
| BR24T128FV-WGE2 記憶力 |
C - 自動車品種,TSSOP8,4.4×3,3000リール | ROHM 半導体 | CAT24C128YI-GT3 対 BR24T128FV-WGE2 |
| BR24G128FVT-3GE2 記憶力 |
EEPROM, 16KX8, シリアル, CMOS, PDSO8, ハロゲンフリーおよびROHS対応, TSSOP-8 | ROHM 半導体 | CAT24C128YI-GT3 対 BR24G128FVT-3GE2 |
| CAT24C128YE-GT3 記憶力 |
EEPROM, 16KX8, シリアル, CMOS, PDSO8, ハロゲンフリーおよびROHSコンパイル, SSOP-8 | オン 半導体 | CAT24C128YI-GT3 対 CAT24C128YE-GT3 |
| BR24G128FVT-3E2 記憶力 |
EEPROM, 16KX8, シリアル, CMOS, PDSO8, TSSOP-8 | ROHM 半導体 | CAT24C128YI-GT3 対 BR24G128FVT-3E2 |
| BR24S128FV-WE2 記憶力 |
16KX8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM,PDSO8,4.40 X 3 MM,ハロゲンフリーおよびROHS対応,MO-153,TSSOP-8 | ROHM 半導体 | CAT24C128YI-GT3 対 BR24S128FV-WE2 |
| BR24G128FVJ-3GTE2 記憶力 |
EEPROM, 16KX8, シリアル, CMOS, PDSO8, TSSOP-8 | ROHM 半導体 | CAT24C128YI-GT3 対 BR24G128FVJ-3GTE2 |