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Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

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安定した85MHZフラッシュ・メモリIC 16MBIT SPI 8SOIC AT45DB161E-SHD-T

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型式番号 :AT45DB161E-SHD-T

最低順序量 :1

支払の言葉 :T/T

供給の能力 :在庫

受渡し時間 :3-5の仕事日

包装の細部 :帯電防止袋及び板紙箱

記憶タイプ :不揮発性

記憶フォーマット :フラッシュ

技術 :フラッシュ

記憶容量 :16Mbit

記憶構成 :528バイトX 4096ページ

記憶インターフェイス :SPI

クロック周波数 :85のMHz

周期にタイムの単語、ページを書きなさい :8µs、4ms

アクセス時間 :-

電圧-供給 :2.5V | 3.6V

実用温度 :-40°C | 85°C （TC）

タイプの取付け :表面の台紙

パッケージ/場合 :8-SOIC （0.209"、5.30mmの幅）

製造者装置パッケージ :8-SOIC

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製品の説明を表示

Gmbh AT45DB161E-SHD-T ICのフラッシュ16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC Renesasの設計ドイツ

プロダクト細部

記述

Atmel AT45DB161Eは2.3Vまたは2.5V最低、理想的にいろいろデジタル音声に、イメージ適する、連続インターフェイス順次アクセスフラッシュ・メモリプログラムコードおよびデータ記憶の適用である。AT45DB161Eはまた非常に高速操作を要求する適用のための急流のシリアル・インタフェースを支える。記憶のその17,301,504ビットは512バイトまたは528バイトそれぞれの4,096ページとして組織される。主記憶操置に加えて、AT45DB161Eはまたバイト512/528のの2つのSRAMの緩衝をそれぞれ含んでいる。緩衝は主記憶操置のページがプログラムし直されている間データの受け入れを可能にする。両方の緩衝の間で入れ込むことは計量値の流れを書くシステムの能力を劇的増加できる。さらに、SRAMの緩衝はpademory付加的なシステム傷として使用しE2PROMの模範化ははめ込み式スリーステップと（ビットまたはバイトのalterability）読書変更書く操作を容易に扱うことができる。

特徴

単一2.3V - 3.6Vか2.5V - 3.6V供給
互換性があるの連続周辺機器インターフェイス（SPI）
はSPIモード0および3を支える
はAtmel® RapidS™操作を支える
全体の配列によるの連続的な読まれた機能
85MHzまでの
10MHzまでののローパワー読まれた選択
6ns最高のの時計に出力時間（TV）
のユーザーの構成可能のページサイズ
ページごとの512バイト
ページ（デフォルト）ごとの528バイト
のページサイズは512バイトのために前もって構成される工場である場合もある
2完全に独立したSRAMのデータバッファ（バイト512/528の）
主記憶操置配列をプログラムし直している間データを受け取るAllows
の適用範囲が広いプログラミングの選択
主記憶操置へののバイト/ページプログラム（1にバイト512/528の）直接
の緩衝書くため
は主記憶操置ページプログラムに緩衝する
の適用範囲が広い消去の選択
のページの消去（バイト512/528の）
は妨げる消去（4KB）を
のセクターの消去（128KB）
は欠く消去（16-Mbits）を
のプログラムおよび消去は中断したり/概要
高度ハードウェアおよびソフトウェアデータ保護の特徴
の個々のセクターの保護
のセクターを永久に読み取り専用にする個々のセクターのロック式
128バイト、一度だけのプログラム可能な（OTP）保証記録
単一識別子とプログラムされる64バイトの工場
プログラム可能な64バイトのユーザー
ソフトウェアリセット制御機構
JEDEC標準的な製造業者および装置IDは読んだ
のローパワー消滅
500nAのUltra-Deepパワー現在（典型的）
3μAの深いパワー現在（典型的）
25μAのスタンバイの流れ（典型的な）
11mAの活動的な読まれた流れ（典型的な）
の持久力:ページの最低ごとの100,000のプログラム/消去周期
データ保持:20年
は完全な産業温度較差に従う
の緑（迎合的なPb/Halide-free/RoHS）の包装の選択
の8鉛SOIC （0.150"広い）
の8パッド極めて薄いDFN （5 x 6 x 0.6mm）
の9ボールの破片スケールBGA （5 x 5 x 1.2mm）

指定

属性	属性値
製造業者	ADESTO
製品カテゴリ	記憶IC
シリーズ	AT45DB
包装	管
単位重量	0.019048 oz
土台式	SMD/SMT
作動温度範囲	- + 85 Cへの40 C
パッケージ場合	8-SOIC （0.209"、5.30mmの幅）
作動温度	-40°C \| 85°C （TC）
インターフェイス	SPIの急流
電圧供給	2.5 V \| 3.6ボルト
製造者装置パッケージ	8-SOIC
記憶容量	16M （4096ページX 528バイト）
記憶タイプ	DataFLASH
速度	85MHz
建築	破片の消去
フォーマット記憶	フラッシュ
インターフェイスタイプ	SPI
構成	2つのM X 8
供給現在最高	22 mA
データバス幅	8ビット
供給電圧最高	3.6 V
供給電圧分	2.5 V
パッケージ場合	SOIC-8
最高時計頻度	70のMHz
タイミングタイプ	同期

機能多用性があるcomponentForm、パッケージ、機能多用性がある部品

Part#製造業者	記述	製造業者	比較しなさい
SST25VF016B-50-4I-QAF 記憶	16M x 1つの抜け目がない2.7V PROM、DSO8、6つx 5つのMM、迎合的なROHS WSON-8	マイクロチップ・テクノロジー株式会社	AT45DB161E-SHD-T対SST25VF016B-50-4I-QAF
SST26VF016B-104I/SM 記憶	ICのフラッシュ2.7V PROM、プログラム可能なROM	マイクロチップ・テクノロジー株式会社	AT45DB161E-SHD-T対SST26VF016B-104I/SM
SST25VF016B-75-4I-S2AF 記憶	16M x 1つの抜け目がない2.7V PROM、PDSO8、5.20 x 8つのMM、EIAJ迎合的な、ROHS SOIC-8	マイクロチップ・テクノロジー株式会社	AT45DB161E-SHD-T対SST25VF016B-75-4I-S2AF
AT45DB161E-SSHD-T 記憶	、16MX1、PDSO8、0.150インチ、緑、プラスチック、MS-012AA、SOIC-8抜け目がない	Adesto Technologies Corporation	AT45DB161E-SHD-T対AT45DB161E-SSHD-T
AT45DB161E-SHD-B 記憶	、16MX1、PDSO8、0.208インチ、緑、プラスチック、SOIC-8抜け目がない	Adesto Technologies Corporation	AT45DB161E-SHD-T対AT45DB161E-SHD-B
AT45DB161E-SSHD-B 記憶	、16MX1、PDSO8、0.150インチ、緑、プラスチック、MS-012AA、SOIC-8抜け目がない	Adesto Technologies Corporation	AT45DB161E-SHD-T対AT45DB161E-SSHD-B
AT45DB161D-SU 記憶	、16MX1、PDSO8、0.209インチ、緑、プラスチック、EIAJ、SOIC-8抜け目がない	Atmel Corporation	AT45DB161E-SHD-T対AT45DB161D-SU
SST25VF016B-50-4I-S2AF 記憶	16M x 1つの抜け目がない2.7V PROM、PDSO8、5.20 x 8つのMM、EIAJ迎合的な、ROHS SOIC-8	マイクロチップ・テクノロジー株式会社	AT45DB161E-SHD-T対SST25VF016B-50-4I-S2AF
SST25VF016B-50-4C-S2AF 記憶	16M x 1つの抜け目がない2.7V PROM、PDSO8、5.20 x 8つのMM、EIAJ迎合的な、ROHS SOIC-8	マイクロチップ・テクノロジー株式会社	AT45DB161E-SHD-T対SST25VF016B-50-4C-S2AF

記述

フラッシュ・メモリIC 16Mb （528バイトX 4096ページ） SPI 85MHz 8-SOIC

抜け目がない連続SPI 3.3V 16Mビット6ns 8 Pin SOIC EIAJ T/R

フラッシュ・メモリ16M 2.5-3.6V 85Mhzデータフラッシュ

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