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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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シティ：shenzhen

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表面の台紙のフラッシュ・メモリの破片64Kbit、CAT28C64BG-12T抜け目がないIC EEPROM

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型式番号 :CAT28C64BG-12T

最低順序量 :1

支払の言葉 :T/T

供給の能力 :在庫

受渡し時間 :3-5の仕事日

包装の細部 :帯電防止袋及び板紙箱

記憶タイプ :不揮発性

記憶フォーマット :EEPROM

技術 :EEPROM

記憶容量 :鎮ㄨ鎵剧殑璧勬簮宸茶鍒犻櫎銆佸凡鏇村悕鎴栨殏鏃朵笉鍙敤銆

記憶構成 :8K X 8

記憶インターフェイス :平行

クロック周波数 :-

周期にタイムの単語、ページを書きなさい :5ms

アクセス時間 :120 ns

電圧-供給 :4.5V | 5.5V

実用温度 :0°C | 70°C （TA）

タイプの取付け :表面の台紙

パッケージ/場合 :32-LCC （J鉛）

製造者装置パッケージ :32-PLCC （11.43x13.97）

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CAT28C64BG-12T IC EEPROM 64KBITの平行32PLCCのonsemi

プロダクト細部

記述

CAT28C64Bは速い、低い電力、8K X 8ビットとして組織される5VだけCMOSの平行EEPROMである。それは内部システムプログラミングのために簡単なインターフェイスを要求する。自己時限オン破片住所およびデータ掛け金はオートクリアの周期を書き、VCCアップ/ダウン力は付加的なタイミングおよび保護ハードウェアを除去するために保護を書く。データ投票およびトグル状態ビットは開始に信号を送り、自己時限の終わりは周期を書く。さらに、CAT28C64Bはハードウェアを特色にし、ソフトウェアは保護を書く。
CAT28C64Bは触媒の高度CMOSの浮遊ゲートの技術を使用して製造される。100,000のプログラム/消去周期に耐えることを設計し、100年のデータ保持がある。装置はJEDECで利用できる承認した28ピンすくい、TSOP、SOICを、または、32ピンPLCCパッケージ。

特徴

■速い読み取りアクセスの時間:
– 90/120/150ns
■低い電力CMOSの消滅:
–能動態:25 mA最高。
–スタンバイ:最高100 µA。
■簡単操作を書きなさい:
–オン破片住所およびデータ掛け金
–自己時限オートクリアの周期を書きなさい
■速くサイクル時間を書きなさい:
–最高5ms。
■CMOSおよびTTL多用性がある入力/出力
■ハードウェアおよびソフトウェアは保護を書く
■商業、産業および自動車
温度較差
■自動ページは操作を書く:
– 5msの1から32バイト
–ページの負荷タイマー
■終わりの検出を書くため:
–トグルビット
–データ投票
■100,000のプログラム/消去周期
■100年データ保持

指定

属性	属性値
製造業者	onsemi
製品カテゴリ	記憶IC
シリーズ	-
包装	テープ及び巻き枠（TR）
パッケージ場合	32-LCC （J鉛）
作動温度	0°C \| 70°C （TA）
インターフェイス	平行
電圧供給	4.5 V \| 5.5ボルト
製造者装置パッケージ	32-PLCC （11.43x13.97）
記憶容量	64K （8K X 8）
記憶タイプ	EEPROM
速度	120ns
フォーマット記憶	平行EEPROMs -

記述

EEPROMの記憶IC 64Kb （8K X 8）平行120ns 32-PLCC （11.43x13.97）

EEPROMの平行64Kビット8K X 8 5V 32 Pin PLCC T/R

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