Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

サンフアン・エレクトロニクス (香港) 株式会社

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AT28HC64B-12JUのフラッシュ・メモリIC 64Kbit非揮発32PLCCマイクロチップ・テクノロジー

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AT28HC64B-12JUのフラッシュ・メモリIC 64Kbit非揮発32PLCCマイクロチップ・テクノロジー

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型式番号 :AT28HC64B-12JU
最低順序量 :1
支払の言葉 :T/T
供給の能力 :在庫
受渡し時間 :3-5の仕事日
包装の細部 :帯電防止袋及び板紙箱
記憶タイプ :不揮発性
記憶フォーマット :EEPROM
技術 :EEPROM
記憶容量 :鎮ㄨ鎵剧殑璧勬簮宸茶鍒犻櫎銆佸凡鏇村悕鎴栨殏鏃朵笉鍙敤銆
記憶構成 :8K X 8
記憶インターフェイス :平行
クロック周波数 :-
周期にタイムの単語、ページを書きなさい :10ms
アクセス時間 :120 ns
電圧-供給 :4.5V | 5.5V
実用温度 :-40°C | 85°C (TC)
タイプの取付け :表面の台紙
パッケージ/場合 :32-LCC (J鉛)
製造者装置パッケージ :32-PLCC (13.97x11.43)
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AT28HC64B-12JU IC EEPROM 64KBITの平行32PLCCマイクロチップ・テクノロジー

プロダクト細部

記述

AT28HC64Bは高性能電気消去可能な、プログラム可能読み取り専用メモリ(EEPROM)である。記憶のその64Kは8ビットにつき8,192ワードとして組織される。Atmelの高度の不揮発性CMOSの技術と製造されて、装置はちょうど220 MWの電力損失との55 nsにアクセス時間を提供する。装置が選択解除されるとき、CMOSのスタンバイの流れは100 µAよりより少しである。

特徴

•速い読み取りアクセスタイムの70 ns
•自動ページは操作を書く
– 64バイトのための内部アドレスそしてデータ掛け金
•速くサイクル時間を書きなさい
–ページはサイクル時間を書く:10氏最高(標準) 2氏最高(選択– Ref. AT28HC64BF Datasheet)
– 64バイトのページへの1つは操作を書く
•低い電力の消滅
– 40 mAの活動的な流れ
– 100つのµA CMOSのスタンバイの流れ
•ハードウェアおよびソフトウェア データ保護
•終わりのためのデータ投票そしてトグル ビットはの検出を書く
•高い信頼性CMOSの技術
–持久力:100,000の周期
–データ保持:10年
•単一の5 V ±10%の供給
•CMOSおよびTTLの多用性がある入出力
•JEDECはバイト幅のPinoutを承認した
•産業温度較差
•緑の(Pb/Halideなしの)包装の選択

指定

属性 属性値
製造業者 Intel/Altera
製品カテゴリ 記憶IC
シリーズ -
包装
土台式 SMD/SMT
パッケージ場合 32-LCC (J鉛)
作動温度 -40°C | 85°C (TC)
インターフェイス 平行
電圧供給 4.5 V | 5.5ボルト
製造者装置パッケージ 32-PLCC
記憶容量 64K (8K X 8)
記憶タイプ EEPROM
速度 120ns
アクセス時間 120 ns
フォーマット記憶 平行EEPROMs -
最高使用可能温度 + 85 C
実用温度範囲 - 40 C
作動供給電圧 5ボルト
作動供給現在 40 mA
インターフェイス タイプ 平行
構成 8 k X 8
供給現在最高 40 mA
供給電圧最高 5.5 V
供給電圧分 4.5 V
パッケージ場合 PLCC-32
データ保持 10年
出力可能にアクセス時間 50 ns

記述

EEPROMの記憶IC 64Kb (8K X 8)平行120ns 32-PLCC
EEPROMの平行64Kビット8K X 8 5V 32 Pin PLCCの管
EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP
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